硅（Si）是一種重要的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍很廣。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程如圖所示：
（1）硅屬于 非金屬非金屬（填“金屬”或“非金屬”）元素；二氧化硅中，硅元素的化合價(jià)為 +4+4。
（2）寫(xiě)出上述流程中一種氧化物的化學(xué)式 SiO2或COSiO2或CO。
（3）上述流程中①、④反應(yīng)的化學(xué)方程式為 SiO2+2C 高溫 Si+2CO↑SiO2+2C 高溫 Si+2CO↑； SiHCl3+H2 高溫 Si+3HClSiHCl3+H2 高溫 Si+3HCl。①反應(yīng)中焦炭具有 還原還原性。
（4）如果還原SiHCl3過(guò)程中混入了O2，可能引起的后果是 可能爆炸可能爆炸。
（5）該流程中可以循環(huán)利用的物質(zhì)的化學(xué)式是 HClHCl。
高溫
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【考點(diǎn)】物質(zhì)的相互轉(zhuǎn)化和制備；元素的簡(jiǎn)單分類(lèi)；有關(guān)元素化合價(jià)的計(jì)算；書(shū)寫(xiě)化學(xué)方程式、文字表達(dá)式、電離方程式；碳的化學(xué)性質(zhì)．
【答案】非金屬；+4；SiO2或CO；SiO2+2C Si+2CO↑；SiHCl3+H2 Si+3HCl；還原；可能爆炸；HCl
高溫
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：5引用：2難度：0.5
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1．芯片是所有電腦、“智能家電”的核心部件，它是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的。硅及氧化物能發(fā)生
如下反應(yīng)：①Si+O2SiO2②SiO2+Na2CO3△Na2SiO3+CO2↑③SiO2+2C高溫Si+2CO↑高溫
④Si+2NaOH+H2ONa2SiO3+2H2↑，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ?。?/h2>△發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：27引用：1難度：0.2 -
2．高純碳酸鈣廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)藥等領(lǐng)域。某化工廠(chǎng)利用優(yōu)質(zhì)石灰石（含少量SiO2等不溶于水和稀鹽酸的雜質(zhì)）為原料得到高純CaCO3．其工藝流程如圖。
（1）SiO2中Si的化合價(jià)：。
（2）實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行操作Ⅰ的名稱(chēng)是。
（3）請(qǐng)完成“轉(zhuǎn)化步驟中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：CaCl2+2NH3+CO2+═CaCO3↓+2NH4Cl。
（4）該工藝的副產(chǎn)品NH4Cl的用途有（寫(xiě)出一種即可）。發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：22引用：2難度：0.5 -
3．芯片是中美經(jīng)貿(mào)摩擦的焦點(diǎn)之一、如圖所示為制造芯片主要材料高純硅的生產(chǎn)流程（反應(yīng)條件已略去）。下列說(shuō)法正確的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：75引用：1難度：0.7
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