硼單質及其化合物在科技前沿有廣泛的應用,如用作高能火箭燃料,制作半導體材料等,回答下列問題:
(1)硼與氧的親和力超過硅,常作煉鋼工業(yè)去氧劑。硼原子的核外電子排布式為 1s22s22p11s22s22p1,晶體硼的晶體類型為 原子晶體原子晶體,晶體硼的熔點比晶體硅 高高(選填“高”或“低”),原因是 兩者均為原子晶體,B原子半徑小于Si,共價鍵B-B強于Si-Si,故晶體硼熔點高兩者均為原子晶體,B原子半徑小于Si,共價鍵B-B強于Si-Si,故晶體硼熔點高。
(2)乙硼烷B2H6常用于制作半導體材料。乙硼烷分子內通過“橋氫原子”形成兩個特殊共價鍵;使B原子最外層達到穩(wěn)定結構(如圖一)。則B2H6中B原子的雜化方式為 sp3雜化sp3雜化。
(3)多聚硼酸鹽常用于制作光學玻璃。某多聚硼酸根具有無限網狀結構,其結構單元如圖二所示,若其結構單元表示為(B5On)m-,則m=33,n=99;結構單元中電負性較強的元素為 氧氧。
(4)氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料??赏ㄟ^下列反應得到:B2O3+2____ △ 2BN+3H2O。
①橫線上物質的空間構型是 三角錐形三角錐形。
②六方氮化硼晶體結構與石墨相似(如圖三),N-B鍵鍵長為apm,晶體的層間距為bpm,則六方氮化硼晶體的密度為 53×10319a2bNA53×10319a2bNAg?cm-3(列出計算式,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。
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【答案】1s22s22p1;原子晶體;高;兩者均為原子晶體,B原子半徑小于Si,共價鍵B-B強于Si-Si,故晶體硼熔點高;sp3雜化;3;9;氧;三角錐形;
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:29引用:3難度:0.6
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1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
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