中國科學家合成了首例缺陷誘導的晶態(tài)無機硼酸鹽單一組分白光材料Ba2[Sn(OH)6][B(OH)4]2,并獲得該化合物的LED器件,該結果有望為白光發(fā)射的設計和應用提供新的有效策略。
(1)已知Sn與Si同族,基態(tài)Sn原子價層電子的運動狀態(tài)有 44種,基態(tài)O原子的電子排布式不能表示為1s22s22P2x2P2y,因為這違背了 CC(填選項)。
A.能量最低原理
B.泡利不相容原理
C.洪特規(guī)則
(2)[B(OH)4]-中硼原子的雜化軌道類型為 sp3sp3。[Sn(OH)6]2-中,Sn與O之間不存在的化學鍵是 AA(填選項)。
A.π鍵
B.σ鍵
C.配位鍵
D.極性鍵
(3)碳酸鋇、碳酸鎂分解得到的金屬氧化物中,熔點較低的是 BaOBaO,其原因是 離子半徑越小,晶格能越大,物質的熔點越高離子半徑越小,晶格能越大,物質的熔點越高。
(4)超高熱導率半導體材料砷化硼(BAs)的晶胞結構如圖所示,則1號砷原子的原子坐標為 (14,14,14)(14,14,14)。已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,若晶胞中As原子到B原子最近距離為apm,則該晶體的密度為 86×4NA(4a3×10-10)386×4NA(4a3×10-10)3g?cm-3(列出含a、NA的計算式即可)。
P
2
x
P
2
y
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
1
4
86
×
4
N
A
(
4
a
3
×
1
0
-
10
)
3
86
×
4
N
A
(
4
a
3
×
1
0
-
10
)
3
【答案】4;C;sp3;A;BaO;離子半徑越小,晶格能越大,物質的熔點越高;(,,);
1
4
1
4
1
4
86
×
4
N
A
(
4
a
3
×
1
0
-
10
)
3
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:9引用:1難度:0.4
相似題
-
1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7