第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）結(jié)構(gòu)相似。氮化鎵的一種制備方法是：2Ga+2NH3?2GaN+3H2?；卮鹣铝袉栴}：
（1）碳化硅中，Si原子的價(jià)電子排布圖是 
，C原子的雜化軌道類型是 sp3sp3。
（2）氮化鎵中，N原子周圍的四個(gè)N-Ga化學(xué)鍵中有一個(gè)與其它三個(gè)化學(xué)鍵有所不同，這個(gè)化學(xué)鍵稱為 配位鍵配位鍵，其中的配體原子是 氮原子氮原子。
（3）C、N、Si的第一電離能的大小順序是 N＞C＞SiN＞C＞Si。
（4）GaN、NH3、H2三種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序是 GaN＞NH3＞H2GaN＞NH3＞H2，原因是 GaN為原子晶體其熔點(diǎn)最高，NH3、H2均為分子晶體，由于NH3中含有氫鍵且相對(duì)分子質(zhì)量較大，所以NH3熔點(diǎn)比H2高GaN為原子晶體其熔點(diǎn)最高，NH3、H2均為分子晶體，由于NH3中含有氫鍵且相對(duì)分子質(zhì)量較大，所以NH3熔點(diǎn)比H2高。
（5）碳元素可以形成碳酸鹽和碳酸氫鹽，其中CO2-3的空間結(jié)構(gòu)是 平面三角形平面三角形。HCO-3在溶液中通過氫鍵形成雙聚或多聚離子（例如：
），影響碳酸氫鈉的溶解度。在相同條件下，碳酸氫鈉溶解度比碳酸鈉溶解度小的原因是 HCO-3形成了雙聚或多聚離子，碳酸氫鈉溶液中由于HCO-3的雙聚或多聚減少了HCO-3與水分子間形成的氫鍵數(shù)目，而碳酸鈉溶液中的CO2-3只能與水分子間形成氫鍵，氫鍵數(shù)目更多HCO-3形成了雙聚或多聚離子，碳酸氫鈉溶液中由于HCO-3的雙聚或多聚減少了HCO-3與水分子間形成的氫鍵數(shù)目，而碳酸鈉溶液中的CO2-3只能與水分子間形成氫鍵，氫鍵數(shù)目更多。
（6）氮化鎵晶體中有一種亞穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，屬于立方晶體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，該結(jié)構(gòu)中可以理解成Ga做面心立方最密堆積，N填充在 Ga形成的正四面體Ga形成的正四面體空隙中，填充率是 50%50%。
CO
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【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；晶體熔沸點(diǎn)的比較；判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用；化學(xué)鍵；原子核外電子排布．
【答案】；sp3；配位鍵；氮原子；N＞C＞Si；GaN＞NH3＞H2；GaN為原子晶體其熔點(diǎn)最高，NH3、H2均為分子晶體，由于NH3中含有氫鍵且相對(duì)分子質(zhì)量較大，所以NH3熔點(diǎn)比H2高；平面三角形；形成了雙聚或多聚離子，碳酸氫鈉溶液中由于的雙聚或多聚減少了與水分子間形成的氫鍵數(shù)目，而碳酸鈉溶液中的只能與水分子間形成氫鍵，氫鍵數(shù)目更多；Ga形成的正四面體；50%
；sp3；配位鍵；氮原子；N＞C＞Si；GaN＞NH3＞H2；GaN為原子晶體其熔點(diǎn)最高，NH3、H2均為分子晶體，由于NH3中含有氫鍵且相對(duì)分子質(zhì)量較大，所以NH3熔點(diǎn)比H2高；平面三角形；HCO
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HCO
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CO
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：20引用：2難度：0.4
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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