請(qǐng)按要求填空：
（1）Mg是第3周期元素，該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見表：

氟化物	NaF	MgF2	SiF4
熔點(diǎn)/K	1266	1534	183

①解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因：
a.

NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，所以NaF與MgF₂遠(yuǎn)比SiF₄熔點(diǎn)要高

NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，所以NaF與MgF₂遠(yuǎn)比SiF₄熔點(diǎn)要高

。
b.

因?yàn)镸g²⁺的半徑小于Na+的半徑，所以MgF₂的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MaF₂的熔點(diǎn)大于NaF

因?yàn)镸g²⁺的半徑小于Na+的半徑，所以MgF₂的離子鍵強(qiáng)度大于NaF的離子鍵強(qiáng)度，故MaF₂的熔點(diǎn)大于NaF

。
②硅在一定條件下可以與Cl₂反應(yīng)生成SiCl₄，試判斷SiCl₄的沸點(diǎn)比CCl₄的

高

高

（填“高”或“低”），理由

SiCl₄的相對(duì)分子質(zhì)量比CCl₄的大，范德華力大，因此沸點(diǎn)高

SiCl₄的相對(duì)分子質(zhì)量比CCl₄的大，范德華力大，因此沸點(diǎn)高

。
（2）下列物質(zhì)變化，只與范德華力有關(guān)的是

ae

ae

a.干冰熔化 b.乙酸汽化c。石英熔融 d.HCONHCH₃CH₃溶于水e。碘溶于四氯化碳
（3）C，N元素形成的新材料具有如圖所示結(jié)構(gòu)，該晶體的化學(xué)式為：

C₃N₄

C₃N₄

。
（4）FeCl₃常溫下為固體，熔點(diǎn)282℃，沸點(diǎn)315℃，在300℃以上升華。易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷FeCl₃的晶體類型為

分子晶體

分子晶體

。
（5）氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似，是新型的非金屬高溫陶瓷材料，它們的硬度大，熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
①氮化硅的硬度

小于

小于

（“大于”或“小于”）氮化碳的硬度，原因是

硅原子半徑大于碳原子半徑，氮碳形成的共價(jià)鍵鍵長比氮硅鍵長短，鍵能更大

硅原子半徑大于碳原子半徑，氮碳形成的共價(jià)鍵鍵長比氮硅鍵長短，鍵能更大

。
②下列物質(zhì)熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力相同的是

c

c

。
a.單質(zhì)I₂和晶體硅 b.冰和干冰c。碳化硅和二氧化硅 d.石墨和氧化鎂
③已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直接相連，同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式

Si₃N₄

Si₃N₄

。
（6）第ⅢA，ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與

4

4

個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為

正四面體

正四面體

。在四大晶體類型中，GaN屬于

原子

原子

晶體。