當前位置：
試題詳情
ⅣA族元素及其化合物在材料等方面有重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）碳的一種單質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖（a）所示。該單質(zhì)的晶體類型為 混合晶體混合晶體，依據(jù)電子云的重疊方式，原子間存在的共價鍵類型有 σ鍵、π鍵σ鍵、π鍵，碳原子的雜化軌道類型為 sp2sp2。
（2）CH4、SiH4、GeH4的熔、沸點依次 增大增大（填“增大”或“減小”），其原因是 CH4、SiH4、GeH4屬于分子晶體，影響熔沸點的因素是分子間作用力的大小，物質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高CH4、SiH4、GeH4屬于分子晶體，影響熔沸點的因素是分子間作用力的大小，物質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高。
（3）SiO2比CO2熔點高的原因是 SiO2是共價晶體，微粒間作用為共價鍵，作用強熔點高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點低SiO2是共價晶體，微粒間作用為共價鍵，作用強熔點高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點低。
（4）四鹵化硅 SiX4的沸點和二鹵化鉛PbX2的熔點如圖（b）所示。
①SiX4的沸點依F、CI、Br、I次序升高的原因是 SiX4屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高SiX4屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高。
②結(jié)合SiX4的沸點和PbX2的熔點的變化規(guī)律，可推斷：依F、Cl、Br、I次序，PbX2中的化學鍵的離子性 減弱減弱、共價性 增強增強。（填“增強”“不變”或“減弱”）
（5）水楊酸第一級電離形成離子
，相同溫度下，水楊酸的Ka2＜＜苯酚
）的Ka（填“＞”“=”或“＜”），其原因是 
中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+。
（6）碳的另一種單質(zhì)Co可以與鉀形成低溫超導化合物，晶體結(jié)構(gòu)如圖（c）所示，K位于立方體的棱上和立方體的內(nèi)部，此化合物的化學式為 K3C60K3C60；其晶胞參數(shù)為1.4nm,阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，則晶體的密度為 4×837（1.4×10-7）3NA4×837（1.4×10-7）3NAg?cm-3。（只需列出式子）
中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+4
×
837
（
1
.
4
×
1
0
-
7
）
3
N
A
4
×
837
（
1
.
4
×
1
0
-
7
）
3
N
A
【考點】晶胞的計算．
【答案】混合晶體；σ鍵、π鍵；sp2；增大；CH4、SiH4、GeH4屬于分子晶體，影響熔沸點的因素是分子間作用力的大小，物質(zhì)的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高；SiO2是共價晶體，微粒間作用為共價鍵，作用強熔點高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點低；SiX4屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高；減弱；增強；＜；中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+；K3C60；
中形成分子內(nèi)氫鍵，使其更難電離出H+；K3C60；4
×
837
（
1
.
4
×
1
0
-
7
）
3
N
A
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/5/23 20:38:36組卷：9引用：1難度：0.6
相似題
-
1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5