GaN是制造芯片的新型半導體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）鎵為第四周期的元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p1。
（2）N、Si、P的電負性由強到弱順序為 N＞P＞SiN＞P＞Si（元素符號表示，下同）；C、N、O的第一電離能由大到小順序為 N＞O＞CN＞O＞C；N2O的空間構(gòu)型為 直線型直線型。
（3）芯片制造中用到光刻膠，可由不飽和物質(zhì)甲基丙烯酸甲酯（
）、馬來酸酐（
）等通過加聚反應制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的軌道雜化類型為 sp2、sp3sp2、sp3，馬來酸酐分子中，σ鍵和π鍵個數(shù)比為 3：13：1。
（4）GaN、GaP、GaAs的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點如表所示：
| 物質(zhì) | GaN | GaP | GaAs |
| 熔點/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價鍵鍵長逐漸增大，所以熔點逐漸下降
GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價鍵鍵長逐漸增大，所以熔點逐漸下降
。（5）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲。將Mn摻雜到GaAs的晶體中得到稀磁性半導體材料（圖乙）。圖甲、圖乙晶體結(jié)構(gòu)不變。
①圖甲中，Ga原子的配位數(shù)為
4
4
，若GaAs晶體密度為ρ g?cm3，相對分子質(zhì)量為M，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞中距離最近的兩個Ga原子間距離為 2
2
×
3
4
M
ρ
N
A
×
1
0
7
2
2
×
3
4
M
ρ
N
A
×
1
0
7
②圖乙中a、b的坐標分別為（0，0，0）和（1，1，0），則c點Mn的原子坐標為
（
0
，
1
2
，
1
2
）
（
0
，
1
2
，
1
2
）
5：27：32
5：27：32
。【答案】[Ar]3d104s24p1；N＞P＞Si；N＞O＞C；直線型；sp2、sp3；3：1；GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As，與Ca原子形成的共價鍵鍵長逐漸增大，所以熔點逐漸下降；4；；；5：27：32
2
2
×
3
4
M
ρ
N
A
×
1
0
7
（
0
，
1
2
，
1
2
）
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：15引用：2難度：0.5
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1．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W式（請寫一個分子和一個離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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