如圖所示為某離子收集器裝置的示意圖，半徑為R的圓形勻強(qiáng)磁場Ⅰ與y軸相切于坐標(biāo)原點(diǎn)O，一截面為矩形的電場處理器ABCD與磁場相切于P點(diǎn)，AC邊與y軸重合，其中AB=2R，AC=3R，AB與CD間存在一定電勢差，電場處理器下方有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場Ⅱ，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B₂?，F(xiàn)有大量質(zhì)量為m、電荷量為q的負(fù)離子，以相同速率v₀各向均勻的從O點(diǎn)射入x＞0區(qū)域，其中沿Ox方向射入的離子剛好經(jīng)過P點(diǎn)并沿虛線PQ進(jìn)入下方磁場，最終被收集在距熒光屏最右端為R的G點(diǎn)，若不計離子重力及相互作用，求：
（1）勻強(qiáng)磁場I的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₁大小和方向：
（2）電場處理器AB與CD間的電勢差U；
（3）若進(jìn)入電場處理器的粒子數(shù)目為b,磁場Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度增大為

8

7

B

2

時，熒光屏上收集到的離子數(shù)目。