（1）溴苯和硅在催化劑銅的存在下加熱，可以生成C6H5SiBr3和H5C6-C6H5，基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式為 3d104s13d104s1，形成硅化物中硅的雜化類型為 sp3sp3。已知硅的氫化物SiH4中Si顯正電性，在上述反應(yīng)中所有非金屬元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?Br＞C＞H＞SiBr＞C＞H＞Si。
（2）硅是親氧元素，在自然界以氧化物和含氧酸鹽形式存在，硅和碳同主族但SiO2比CO2熔點(diǎn)高的原因是 SiO2是原子晶體，微粒間作用為共價(jià)鍵，作用強(qiáng)熔點(diǎn)高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點(diǎn)低SiO2是原子晶體，微粒間作用為共價(jià)鍵，作用強(qiáng)熔點(diǎn)高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點(diǎn)低，SiO32-的空間構(gòu)型為 平面三角形平面三角形。
（3）硅在不同條件下的晶體結(jié)構(gòu)不同，如圖1：
①常溫時為金剛石型結(jié)構(gòu)如圖1，該結(jié)構(gòu)中硅原子與Si-Si鍵的數(shù)量比為 1：21：2，圖中為晶胞（圖1）對角面的投影圖（以表示硅原子）的是 ACAC。（填選項(xiàng)）
②當(dāng)條件變?yōu)?2 Gpa時，硅晶體為四方晶系，晶胞如圖2，晶胞參數(shù)a=183 pm c=900pm,晶胞的密度為 4×281.83×1.83×9×10-24×6.02×10234×281.83×1.83×9×10-24×6.02×1023 g/cm3。（阿伏加德羅常數(shù)的值為6.02×1023寫出計(jì)算式）
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【答案】3d104s1；sp3；Br＞C＞H＞Si；SiO2是原子晶體，微粒間作用為共價(jià)鍵，作用強(qiáng)熔點(diǎn)高，CO2屬于分子晶體，微粒間作用為分子間作用力，相互作用弱熔點(diǎn)低；平面三角形；1：2；AC；
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【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：33引用：1難度：0.6
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5