試卷征集
加入會員
操作視頻
當(dāng)前位置: 試題詳情

(1)如圖所示表示一些晶體的結(jié)構(gòu)(或晶胞),其中代表石墨是
D
D
;每一層內(nèi)碳原子數(shù)與C-C化學(xué)鍵之比是
2:3
2:3



(2)MgO晶胞空間構(gòu)型與NaCl晶體相同,MgO晶體中Mg2+的配位數(shù)為
6
6
與同個(gè)Mg2+等距且最近的O2-圍成的空間幾何構(gòu)型是
正八面體
正八面體
.MgO晶體熔點(diǎn)高于NaCl晶體,原因是
MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl,離子間的平均距離小于NaCl
MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl,離子間的平均距離小于NaCl
;
(3)若C、D代表某種元素中的兩種同素異形體,C中原子的雜化類型是
sp3
sp3
,D能導(dǎo)電的原因是
每個(gè)碳原子上未參與雜化的一個(gè)2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng)(石墨中有自由電子)
每個(gè)碳原子上未參與雜化的一個(gè)2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng)(石墨中有自由電子)

【考點(diǎn)】共價(jià)晶體
【答案】D;2:3;6;正八面體;MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl,離子間的平均距離小于NaCl;sp3;每個(gè)碳原子上未參與雜化的一個(gè)2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng)(石墨中有自由電子)
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/12/30 8:0:15組卷:84引用:2難度:0.5
相似題
  • 1.下列有關(guān)晶體的說法中一定正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/12/30 16:0:2組卷:31引用:3難度:0.6
  • 2.下列關(guān)于共價(jià)晶體、分子晶體的敘述中,正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/12/30 15:30:1組卷:49引用:2難度:0.7
  • 3.氮化硅(Si3N4)是一種高溫陶瓷材料,它難溶于水、硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定.則由此推測氮化硅是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/12/30 16:0:2組卷:22引用:3難度:0.9
APP開發(fā)者:深圳市菁優(yōu)智慧教育股份有限公司| 應(yīng)用名稱:菁優(yōu)網(wǎng) | 應(yīng)用版本:5.0.7 |隱私協(xié)議|第三方SDK|用戶服務(wù)條款
本網(wǎng)部分資源來源于會員上傳,除本網(wǎng)組織的資源外,版權(quán)歸原作者所有,如有侵犯版權(quán),請立刻和本網(wǎng)聯(lián)系并提供證據(jù),本網(wǎng)將在三個(gè)工作日內(nèi)改正