鎵（Ga）、鍺（Ge）、硅（Si）、硒（Se）的單質及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導體材料，應用于航空航天測控、光纖通訊等領域?；卮鹣铝袉栴}：
（1）硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的核外電子排布式為 1s22s22p63s23p63d104s24p4（或[Ar]3d104s24p4）1s22s22p63s23p63d104s24p4（或[Ar]3d104s24p4）；與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有 33種；SeO3的空間構型是 平面正三角形平面正三角形。
（2）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是 44。硅與氫結合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，與氯、溴結合能形成SiCl4、SiBr4，上述四種物質沸點由高到低順序為 SiBr4＞SiCl4＞Si2H6＞SiH4SiBr4＞SiCl4＞Si2H6＞SiH4，丁硅烯（Si4H8）中σ鍵與π鍵個數(shù)之比為 11：111：1。
（3）GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，熔點如表所示，分析其熔點變化的原因 三者均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點降低三者均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點降低。
| GaN | GaP | GaAs | |
| 熔點 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
從GaN晶體中分割出的平行六面體如圖乙，該平行六面體的高為
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【答案】1s22s22p63s23p63d104s24p4（或[Ar]3d104s24p4）；3；平面正三角形；4；SiBr4＞SiCl4＞Si2H6＞SiH4；11：1；三者均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As，鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As，鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As，故熔點降低；
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【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：15引用：3難度：0.6
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應用。請回答下列相關問題。
（1）基態(tài)磷原子的價電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結構如圖1所示。科學家目前合成了N4分子，其分子結構與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W式（請寫一個分子和一個離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質中四種元素的電負性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結構如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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