Cu的導(dǎo)電性能好，在電氣工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，石墨為常見導(dǎo)體，是制作電極的良好材料，Si是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Cu的價(jià)電子排布式為

3d¹⁰4s¹

3d¹⁰4s¹

。第二電離能（I₂）比較，I₂（Cu）

大于

大于

I₂（Zn）（填“大于”或“小于”），原因是

Cu⁺的3d能級(jí)軌道處于全充滿狀態(tài)，能量更低更穩(wěn)定，故其第二電離能大于鋅的第二電離能

Cu⁺的3d能級(jí)軌道處于全充滿狀態(tài)，能量更低更穩(wěn)定，故其第二電離能大于鋅的第二電離能

。
（2）Cu₂O有半導(dǎo)體性質(zhì)，不溶于水，可溶于氨水生成[Cu（NH₃）₂]⁺，1mol[Cu（NH₃）₂]⁺中共價(jià)鍵的數(shù)目為

8N_A

8N_A

。
（3）石墨中C的雜化方式為

sp²

sp²

。α-石墨和β-石墨結(jié)構(gòu)如圖（a）、（b）所示，已知：C（α-石墨，s）=C（β-石墨，s）ΔH=+0.586kJ?mol^-1，ΔH數(shù)值小，易轉(zhuǎn)化。請(qǐng)從石墨晶體結(jié)構(gòu)的角度分析ΔH數(shù)值小的原因是

石墨層與層之間的距離較大，作用力是范德華力，比較微弱

石墨層與層之間的距離較大，作用力是范德華力，比較微弱

。

（4）Si半導(dǎo)體摻雜VA族元素，使導(dǎo)電性增加，如：Si+As→SiAs,As的價(jià)電子僅有1個(gè)未成鍵，該電子可在半導(dǎo)體內(nèi)移動(dòng)。則As與最近的Si原子間形成的立體構(gòu)型為

正四面體

正四面體

。
（5）高導(dǎo)電紫銅常用CaB_x提高導(dǎo)電率，CaB_x晶胞如圖（c）所示，B原子全部組成正八面體，各個(gè)頂點(diǎn)通過B-B鍵連接成三維骨架，具有立方晶系的對(duì)稱性，則x=

6

6

，B原子半徑為rnm,則晶胞參數(shù)a=

2（1+

2

）r

2（1+

2

）r

nm。