半導體砷化硼具有超高的導熱系數(shù)，有助于電子器件降溫散熱?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)砷原子的電子排布式為 [Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3。
（2）實驗測得，砷原子的第一電離能大于硒原子的第一電離能，原因是 砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定。
（3）三氧化二砷的分子結(jié)構(gòu)如圖所示，分子中砷原子的雜化方式是 sp3sp3，氧原子的雜化方式是 sp3sp3。
（4）NH3BH3分子中，與N原子相連的H呈正電性（Hδ+），與B原子相連的H呈負電性（Hδ-），則H、B、N電負性大小順序是 N＞H＞BN＞H＞B。
（5）已知：
| 名稱 | 硼酸 | 亞砷酸 | 亞磷酸 |
| 分子式 | H3BO3 | H3AsO3 | H3PO3 |
| 結(jié)構(gòu)式 |  |
 |
|
| 類型 | 一元弱酸 | 三元弱酸 | 二元弱酸 |
②硼酸溶于水的電離方程式為
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
。（6）砷化硼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖（a）所示，圖（b）中矩形AA'C'C是沿晶胞對角面取得的截圖。
①若晶胞的邊長均為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為
4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
②晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置為
B
B
（填標號）。
【答案】[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3；砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定；sp3；sp3；N＞H＞B；；H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-；；B
；H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-；4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：14引用：2難度：0.5
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1．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
2．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
3．有關晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ）
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：175引用：4難度：0.7
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