高氯酸三碳酰肼合鎳[Ni（CHZ）3]（ClO4）2是一種新型的起爆藥。
（1）Ni能與CO形成配合物Ni（CO）4，配體CO中提供孤電子對的是C原子，其理由可能是電負(fù)性O(shè)＞C，O原子不易給出孤電子對電負(fù)性O(shè)＞C，O原子不易給出孤電子對；該配合物分子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為1：1：。
（2）①ClO4-的空間構(gòu)型是正四面體形正四面體形。
②寫出與ClO4-互為等電子體的一種分子和一種離子：CCl4CCl4，SO42-SO42- （填化學(xué)式）。
（3）化學(xué)式中CHZ為碳酰肼，其結(jié)構(gòu)為
，它是一種新型的環(huán)保鍋爐水除氧劑。
①碳酰肼中氮元素的化合價(jià)為-2-2，碳原子的雜化軌道類型為sp2sp2。
②碳酰肼可以由碳酸二甲酯 
）和肼（N2H4）反應(yīng)制得，有關(guān)的化學(xué)方程式為
（4）高氯酸三碳酰肼合鎳可由NiO、高氯酸及碳酰肼化合而成。
①比較次氯酸和高氯酸的酸性，并說明理由：HClO4的酸性比HClO的強(qiáng)，HClO4中非羥基氧數(shù)目比HClO的多，HClO4中Cl的正電性更高，導(dǎo)致Cl-O-H中O的電子向Cl的偏移程度比HClO的大，HClO4更易電離出H+HClO4的酸性比HClO的強(qiáng)，HClO4中非羥基氧數(shù)目比HClO的多，HClO4中Cl的正電性更高，導(dǎo)致Cl-O-H中O的電子向Cl的偏移程度比HClO的大，HClO4更易電離出H+。
②如圖為NiO晶胞，若晶胞中含有的Ni2+數(shù)目為a,Ni2+的配位數(shù)為b,NiO晶體中每個(gè)Ni2+距離最近的Ni2+數(shù)目為c,則a：b：c=2：3：62：3：6。
【答案】電負(fù)性O(shè)＞C，O原子不易給出孤電子對；1：；正四面體形；CCl4；SO42-；-2；sp2；；HClO4的酸性比HClO的強(qiáng)，HClO4中非羥基氧數(shù)目比HClO的多，HClO4中Cl的正電性更高，導(dǎo)致Cl-O-H中O的電子向Cl的偏移程度比HClO的大，HClO4更易電離出H+；2：3：6
；HClO4的酸性比HClO的強(qiáng)，HClO4中非羥基氧數(shù)目比HClO的多，HClO4中Cl的正電性更高，導(dǎo)致Cl-O-H中O的電子向Cl的偏移程度比HClO的大，HClO4更易電離出H+；2：3：6【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：41引用：6難度：0.5
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請寫一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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