以NaOH、CuSO4和HCHO為主要成分的鍍液可在某些材料上鍍銅，原理如下：Cu2++2HCHO+4OH-→Cu+2HCOO-+2H2O+H2↑。
（1）基態(tài)Cu原子的價層電子排布式為 3d104s13d104s1。
（2）根據(jù)反應(yīng)原理分析
①鍍銅反應(yīng)中，利用了HCHO的 還原還原性。（填“氧化”或“還原”）
②選擇HCHO進行化學鍍銅的原因之一是它易溶于水。下列分析正確的是 abab。
a.HCHO、H2O均屬于極性分子
b.HCHO與H2O之間能形成氫鍵
c.在醛基的碳氧雙鍵中，電子偏向碳原子
（3）鍍液中的SO2-4、HCHO、H2O三種微粒中空間結(jié)構(gòu)為三角形的是 HCHOHCHO。
（4）為防止Cu2+與OH-形成沉淀，可加入EDTA使Cu2+形成配合物。EDTA能電離出H+和EDTA4-。
（EDTA4-）
EDTA4-中除部分O外，還能與Cu2+配位的原子是 NN。
（5）銅-鎳鍍層能增強材料的耐腐蝕性。按照核外電子排布，把元素周期表劃分為5個區(qū)。
Ni位于 dd區(qū)。
（6）CuF2的晶胞如圖所示，密度為ρg?cm-3，相鄰的兩個Cu2+的最近核間距為acm,已知NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則CuF2的摩爾質(zhì)量數(shù)值為 22ρNAa322ρNAa3（列出計算式）。
SO
2
-
4
2
2
2
2
【答案】3d104s1；還原；ab；HCHO；N；d；ρNAa3
2
2
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：1引用：1難度：0.5
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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