三氯氫硅（SiHCl₃）是制備硅燒、多晶硅的重要原料。已知SiHCl₃（g）在催化劑作用下發(fā)生反應(yīng)：2SiHCl₃（g）?SiH₂Cl₂（g）+SiCl₄（g）。一定條件下，向容積為1L的恒容密閉容器中充入2molSiHCl₃（g），分別在溫度為T(mén)₁K、T₂K條件下反應(yīng)，測(cè)得反應(yīng)體系中SiHCl₃（g）的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)隨時(shí)間變化的關(guān)系如圖所示：

（1）在T₁K溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率a（SiHCl₃）=

20

20

%。若想進(jìn)一步提高SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率，除改變溫度外還可以采取的措施是

及時(shí)移去產(chǎn)物

及時(shí)移去產(chǎn)物

。
（2）下列不能判斷該反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)的是

bd

bd

（填標(biāo)號(hào)）。
a.v_正（SiHCl₃）=2v_逆（SiH₂Cl₂）
b.混合氣體的密度不再發(fā)生變化
c.SiHCl₃與SiCl₄的濃度之比不再改變
d.混合氣體的平均摩爾質(zhì)量不再發(fā)生變化
（3）已知：反應(yīng)速率v=v_正-v_逆=k_正x²（SiHCl₃）-k_逆x（SiH₂Cl₂）?x（SiCl₄），k_正、k_逆分別表示正、逆反應(yīng)速率常數(shù)，x（B）為組分B的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)。
①a、b點(diǎn)的正反應(yīng)速率之比v_a：v_b

＞

＞

（填“＞”“＜”或“=”）1。
②b點(diǎn)的

v

正

v

逆

=

2.01

2.01

（保留三位有效數(shù)字）。
（4）某種新型儲(chǔ)氫材料的晶胞如圖b,八面體中心為M金屬離子，頂點(diǎn)均為NH₃配體；四面體中心為硼原子，頂點(diǎn)均為氫原子。若其摩爾質(zhì)量為188g/mol,則M元素為

Fe

Fe

（填元素符號(hào)）；在該化合物中，M基態(tài)離子的價(jià)電子排布式為

3d⁶

3d⁶

。