半導(dǎo)體有著廣泛的應(yīng)用，人們通過離子注入的方式優(yōu)化半導(dǎo)體以滿足不同的需求．離子注入系統(tǒng)的原理簡(jiǎn)化如圖所示．質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子經(jīng)電場(chǎng)加速后從EE1中點(diǎn)P垂直O(jiān)E射入四分之一環(huán)形勻強(qiáng)磁場(chǎng)，環(huán)形磁場(chǎng)圓心為O，內(nèi)環(huán)半徑OE1=OG1=R，外環(huán)半徑OE=OG=3R，磁場(chǎng)方向垂直紙面向里．當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0時(shí)，離子恰好垂直邊界從GG1中點(diǎn)Q射出。不考慮離子重力以及離子間的相互作用。求：
（1）加速電場(chǎng)M、N兩板間的電壓；
（2）為使離子能夠到達(dá)GG1面，環(huán)形區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的取值范圍。
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：255引用：4難度：0.4
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1．如題圖所示，在直角坐標(biāo)系的第一象限中有一半徑為R的扇形POQ無場(chǎng)區(qū)域，第一象限剩余區(qū)域（含PQ圓弧邊界）及第四象限均存在垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)B。大量質(zhì)量為m,帶電量為q的正粒子從圓弧PQ上各點(diǎn)沿y軸正方向以相同速度v（大小未知）射入磁場(chǎng)，且所有粒子軌跡均交于Q點(diǎn)并被粒子收集盒（圖中未畫）吸收。不計(jì)粒子重力，則（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 13:0:2組卷：27引用：2難度：0.4 -
2．如圖所示，一粒子發(fā)射源P位于足夠大絕緣板AB的上方處，能夠在紙面內(nèi)向各個(gè)方向發(fā)射速率為v、電荷量為q、質(zhì)量為m的帶正電的粒子?？臻g存在垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，不考慮粒子間的相互作用和粒子重力，已知粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑大小恰好為d,則（ ?。?/h2>d2發(fā)布：2024/12/20 0:30:1組卷：365引用：6難度：0.2 -
3．如圖所示，在直角坐標(biāo)系xOy的第1、4象限內(nèi)存在方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ，兩磁場(chǎng)以O(shè)P直線為界，OP直線與+x軸夾角為30°，其磁感應(yīng)強(qiáng)度分別為B和2B．一質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子從y軸上的N點(diǎn)沿平行于+x軸的方向射直入磁場(chǎng)Ⅰ；一段時(shí)間后，該粒子在OP邊界上某點(diǎn)以垂直于OP的方向射入磁場(chǎng)Ⅱ，最后粒子射出磁場(chǎng)。則粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/24 0:0:3組卷：282引用：1難度：0.6
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