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硼、鈰(Ce)及其化合物在材料制造、有機合成等方面用途非常廣泛,硼的一些化合物表現(xiàn)出缺電子特征?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)硼原子的外圍電子排布式為
2s22p1
2s22p1
;B和Be的第一電離能I1(B)
I1(Be)(填“>”或“=”或“<”)。
(2)H3BO3(層狀結(jié)構(gòu))的結(jié)構(gòu)示意圖如圖,在硼酸的層狀結(jié)構(gòu)中O的VSEPR模型是
四面體
四面體
,層內(nèi)存在的弱相互作用有
氫鍵
氫鍵
。硼酸顯弱酸性與[B(OH)4]-配離子有關(guān),硼酸的電離方程式:
H3BO3+H2O?[B(OH)4]-+H+
H3BO3+H2O?[B(OH)4]-+H+
。
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(3)自然界中不存在單質(zhì)硼,硼的氫化物也很少,主要存在的是硼的含氧化合物,根據(jù)表中數(shù)據(jù)分析其原因是
B-O鍵能大于B-B的鍵能和B-H的鍵能,所以更易形成穩(wěn)定的B-O鍵
B-O鍵能大于B-B的鍵能和B-H的鍵能,所以更易形成穩(wěn)定的B-O鍵

化學(xué)鍵 B-H B-O B-B
鍵能(kJ?mol-1 389 561 293
(4)鈰(Ce)屬于鑭系元素,氧化鈰是一種重要的光催化材料。
①鈰具有三價和四價兩種價態(tài),三價和四價間的可逆轉(zhuǎn)換會造成氧空位的生成和消除。其光催化的基本原理如圖所示,當(dāng)光照能量(hv)等于或大于氧化鈰催化劑的能量時,氧化鈰VB上的電子(e-)會受到激發(fā)躍遷至CB,留下帶正電荷的空穴(h+),形成光生電子?空穴對,與所吸附的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng)。則在氧化還原反應(yīng)中,空穴可視為
氧化劑
氧化劑
(填“氧化劑”或“還原劑”),圖中D發(fā)生
氧化
氧化
(填“氧化”或“還原”)反應(yīng)。
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②氧化鈰的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,若晶體密度為dg?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,晶胞中兩個氧離子的最短距離為
3
86
d
N
A
×1010
3
86
d
N
A
×1010
pm(寫出表達(dá)式)。
菁優(yōu)網(wǎng)

【答案】2s22p1;<;四面體;氫鍵;H3BO3+H2O?[B(OH)4]-+H+;B-O鍵能大于B-B的鍵能和B-H的鍵能,所以更易形成穩(wěn)定的B-O鍵;氧化劑;氧化;
3
86
d
N
A
×1010
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/5/9 8:0:9組卷:13引用:1難度:0.6
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
     

    (2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?;瘜W(xué)式
     
    (請寫一個分子和一個離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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