鈦(Ti)被稱為“未來金屬”,其化合物廣泛用于國防、電訊器材、醫(yī)療器械和化工設(shè)備等領(lǐng)域?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)鈦原子的價(jià)電子排布式為 3d24s23d24s2,與鈦同周期的元素中,基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的有 33種。
(2)Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示,TiF4熔點(diǎn)高于其它三種鹵化物,自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高,原因是 TiF4為離子晶體,熔點(diǎn)最高,TiCl4、TiBr4、TiI4為分子晶體,相對分子質(zhì)量依次增大,范德華力依次增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高TiF4為離子晶體,熔點(diǎn)最高,TiCl4、TiBr4、TiI4為分子晶體,相對分子質(zhì)量依次增大,范德華力依次增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。
化合物 | TiF4 | TiCl4 | TiBr4 | TiI4 |
熔點(diǎn) | 377 | -24.12 | 38.3 | 155 |
①配合物中H、C、O三種元素的電負(fù)性由大到小的排列順序?yàn)?
O>C>H
O>C>H
。②請?jiān)趫D中標(biāo)出配位鍵(用“→”表示) ;
③配合物中非金屬元素的含氧酸根的中心原子雜化軌道類型是sp2的是
C、O
C、O
。(4)用B摻雜TiN后(晶胞結(jié)構(gòu)中只是B原子部分代替鈦原子),其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,距離Ti最近的B有
4
4
個(gè),Ti與B的最近距離為 2
2
3
4
×
14
+
11
+
3
×
48
N
A
×
ρ
2
2
3
4
×
14
+
11
+
3
×
48
N
A
×
ρ
0.85
0.85
倍。(已知摻雜B后的晶體密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)【答案】3d24s2;3;TiF4為離子晶體,熔點(diǎn)最高,TiCl4、TiBr4、TiI4為分子晶體,相對分子質(zhì)量依次增大,范德華力依次增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高;O>C>H;;C、O;4;××107;0.85
2
2
3
4
×
14
+
11
+
3
×
48
N
A
×
ρ
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:15引用:1難度:0.5
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1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
(1)基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點(diǎn)較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
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