碳族元素與氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生產(chǎn)、生活中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ge原子價(jià)電子排布式為

4s²4p²

4s²4p²

。
（2）C、N、O、Si第一電離能由大到小的順序?yàn)?

N＞O＞C＞Si

N＞O＞C＞Si

；
（3）已知N₂O與CO₂互為等電子體，則N₂O的結(jié)構(gòu)式為

N=N=O

N=N=O

，N₂O是

極性

極性

（填“極性”或“非極性”）分子。
（4）磷能形成多種含氧酸，其中亞磷酸的結(jié)構(gòu)如為，則Na₂HPO₃溶液中各離子濃度由大到小的順序?yàn)?

c（Na⁺）＞c（HPO₃^2-）＞c（OH^-）＞c（H₂PO₃^-）＞c（H⁺）

c（Na⁺）＞c（HPO₃^2-）＞c（OH^-）＞c（H₂PO₃^-）＞c（H⁺）

。
（5）C和Si與O原子結(jié)合形成CO₂和SiO₂時(shí)假設(shè)采用甲、乙兩種構(gòu)型：

部分化學(xué)鍵的鍵能如表所示：

化學(xué)鍵	鍵能/（kJ?mol-1）		化學(xué)鍵	鍵能/（kJ?mol-1）
C-C	331		C-O	343
Si-Si	197		Si-O	466
C=C	620		CO	805
Si=Si	272		Si=O	640

SiO₂晶體中Si原子采取的構(gòu)型是

乙

乙

（填“甲”或“乙”），從能量角度解釋Si原子采取該構(gòu)型的原因是

Si原子與O原子形成四個(gè)Si-O鍵的總鍵能高于形成兩個(gè)Si=O鍵的總鍵能，體系更加穩(wěn)定

Si原子與O原子形成四個(gè)Si-O鍵的總鍵能高于形成兩個(gè)Si=O鍵的總鍵能，體系更加穩(wěn)定

。
（6）碳化硅（SiC）是人工合成的無機(jī)非金屬材料，其晶體結(jié)構(gòu)類似于金剛石，結(jié)構(gòu)如圖丙所示：
①該晶體中碳原子的雜化軌道類型為

sp³

sp³

雜化，一個(gè)硅原子周圍與其最近的硅原子的數(shù)目為

12

12

。
②在立方體體對(duì)角線的一維空間上碳、硅原子的分布規(guī)律（原子的比例大小和相對(duì)位置）正確的是

a

a

。

③如果SiC晶體中硅原子與最近碳原子間距離為dpm,則SiC晶體的密度為

160

（

4

3

3

d

×

10

-

10

）

3

160

（

4

3

3

d

×

10

-

10

）

3

g?cm^-3。（寫含有d的表達(dá)式）