如圖，MN、PQ為足夠長平行光滑水平金屬導軌，處于豎直向下的勻強磁場中，GH、JK為足夠長傾斜粗糙平行金屬導軌，處于垂直導軌平面向下的勻強磁場中，底端接C=100μF的電容器。NQ端與GJ端高度差h=0.45m,水平距離x=1.2m。現(xiàn)將導體棒cd靜置在水平分導軌固定小釘?shù)挠覀?，導體棒ab以速度v0=9m/s從MP端滑入，一段時間后cd棒從NQ端拋出，恰能無碰撞從GJ端進入斜導軌。已知導軌間距均為1m,兩磁場的磁感應強度均為2T，兩棒質量均為0.01kg,接入電阻均為1Ω，導軌電阻不計，棒始終與導軌垂直且接觸良好，棒與斜導軌的動摩擦因數(shù)μ=0.75，g取10m/s2。求：
（1）cd棒從NQ端拋出時的速度大小v1；
（2）cd棒拋出前瞬間ab棒所受安培力的功率P；
（3）最終電容器存儲的電荷量Q。
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：298引用：1難度：0.4
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