硅和鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領域應用廣泛。回答下列問題：
（1）電子的運動狀態(tài)可從能層、能級、軌道、自旋自旋4個方面進行描述?；鶓B(tài)硅原子核外電子運動狀態(tài)有 1414種，已知Sn在元素周期表第5周期和Si同族，Sn的原子序數是 5050，基態(tài)Sn原子價層電子的空間運動狀態(tài)有 33種。
（2）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式是[Ar]3d104s24p23d104s24p2，有 22個未成對電子。下列現象與原子核外電子躍遷有關的是 abab。（填序號）
a.焰火
b.LED燈光
c.金屬導電
d.核輻射
（3）在周期表中，與Si的化學性質最相似的鄰族元素是 BB，該元素基態(tài)原子核外電子排布圖是 
。
（4）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因 三者結構組成結構相似，均為分子晶體，隨相對分子質量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高。三者結構組成結構相似，均為分子晶體，隨相對分子質量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高。。
| GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
| 熔點/℃ | ?49.5 | 26 | 146 |
| 沸點/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
【答案】自旋；14；50；3；3d104s24p2；2；ab；B；；三者結構組成結構相似，均為分子晶體，隨相對分子質量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高。
；三者結構組成結構相似，均為分子晶體，隨相對分子質量增大，分子間作用力增大，熔沸點升高。【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：2難度：0.6
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