近日，我國(guó)科研工作者合成了含鉬氧氟八面體的亞硒（碲）酸鹽類(lèi)二階非線(xiàn)性光學(xué)晶體M[Ba（MoO2F）2（XO3）2（X=Se、Te）]和一種尖晶石結(jié)構(gòu)多元金屬（含Ag、Sn、In）硫族化合物半導(dǎo)體材料，并探索了材料的光電性質(zhì)。回答下列問(wèn)題：
（1）Mo是第五周期第ⅥB族元素，基態(tài)Mo2+價(jià)電子的自旋狀態(tài)為相同相同（填“相同”或“相反”）。
（2）晶體M中非金屬元素的電負(fù)性由大到小的順序是F＞O＞Se＞TeF＞O＞Se＞Te，SeO32-中Se的雜化方式為sp3sp3，H2Te分子的立體構(gòu)型為V形V形。
（3）氫鍵的本質(zhì)是缺電子的氫原子和富電子的原子或原子團(tuán)（比如大π鍵）之間的一種弱的電性作用，氯仿（CHCl3）易溶于苯是因?yàn)槎叻肿娱g形成了氫鍵，形成氫鍵的條件是在氯仿（CHCl3）中氯元素的電負(fù)性大，三個(gè)原子吸引電子能力強(qiáng)，使C-H的H幾乎是裸露的質(zhì)子，苯環(huán)含有大π鍵與裸露質(zhì)子間形成較強(qiáng)的作用力在氯仿（CHCl3）中氯元素的電負(fù)性大，三個(gè)原子吸引電子能力強(qiáng)，使C-H的H幾乎是裸露的質(zhì)子，苯環(huán)含有大π鍵與裸露質(zhì)子間形成較強(qiáng)的作用力。
（4）已知Ba、Mo的氯化物沸點(diǎn)信息如下表所示。二者沸點(diǎn)差異的原因是氯化鋇屬于離子晶體，MoCl5屬于分子晶體，離子晶體的沸點(diǎn)主要取決于離子鍵，分子晶體的沸點(diǎn)主要取決于分子間作用力，離子鍵通常強(qiáng)于分子間作用力氯化鋇屬于離子晶體，MoCl5屬于分子晶體，離子晶體的沸點(diǎn)主要取決于離子鍵，分子晶體的沸點(diǎn)主要取決于分子間作用力，離子鍵通常強(qiáng)于分子間作用力。
| 金屬氯化物 | 沸點(diǎn) |
| BaCl2 | 1560℃ |
| MoCl5 | 268℃ |
[Ag（NH3）2]+中，配位鍵N-Ag鍵的成鍵電子對(duì)相比NH3中的孤電子對(duì)N-H鍵的排斥力變小，故[Ag（NH3）2]+中H-N-H鍵角變大
[Ag（NH3）2]+中，配位鍵N-Ag鍵的成鍵電子對(duì)相比NH3中的孤電子對(duì)N-H鍵的排斥力變小，故[Ag（NH3）2]+中H-N-H鍵角變大
。（6）某多元金屬硫族化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中In、Sn、S位于晶胞內(nèi)，Ag有6個(gè)原子位于面心。
則該物質(zhì)的化學(xué)式為
AgInSnS4
AgInSnS4
，已知該晶胞的晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則密度ρ=8
×
470
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
8
×
470
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；含有氫鍵的物質(zhì)；原子軌道雜化方式及雜化類(lèi)型判斷；晶體熔沸點(diǎn)的比較；鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角及其應(yīng)用；原子核外電子排布．
【答案】相同；F＞O＞Se＞Te；sp3；V形；在氯仿（CHCl3）中氯元素的電負(fù)性大，三個(gè)原子吸引電子能力強(qiáng)，使C-H的H幾乎是裸露的質(zhì)子，苯環(huán)含有大π鍵與裸露質(zhì)子間形成較強(qiáng)的作用力；氯化鋇屬于離子晶體，MoCl5屬于分子晶體，離子晶體的沸點(diǎn)主要取決于離子鍵，分子晶體的沸點(diǎn)主要取決于分子間作用力，離子鍵通常強(qiáng)于分子間作用力；[Ag（NH3）2]+中，配位鍵N-Ag鍵的成鍵電子對(duì)相比NH3中的孤電子對(duì)N-H鍵的排斥力變小，故[Ag（NH3）2]+中H-N-H鍵角變大；AgInSnS4；
8
×
470
N
A
×
(
a
×
1
0
-
10
)
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：16引用：2難度：0.5
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類(lèi)似。則N原子的雜化軌道類(lèi)型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請(qǐng)寫(xiě)出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請(qǐng)寫(xiě)一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱(chēng)為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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