CdSnAs₂是一種高遷移率的新型熱電材料，回答下列問題：
（1）As位于元素周期表中

四

四

周期

VA

VA

族，其基態(tài)原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或[Ar]3d¹⁰4s²4p³

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³或[Ar]3d¹⁰4s²4p³

；第一電離能As＞Se,原因是

As原子價層電子排布為4s²4p³，其4p軌道為半滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；Se的價層電子排布為4s²4p⁴失去的是4p軌道的配對電子，配對電子有一定的斥力

As原子價層電子排布為4s²4p³，其4p軌道為半滿穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；Se的價層電子排布為4s²4p⁴失去的是4p軌道的配對電子，配對電子有一定的斥力

。
（2）NH₃、PH₃、ASH₃的沸點由高到低的順序為

NH₃＞AsH₃＞PH₃

NH₃＞AsH₃＞PH₃

（填化學式，下同），鍵角由大到小的順序為

NH₃＞PH₃＞AsH₃

NH₃＞PH₃＞AsH₃

。
（3）Sn為ⅣA族元素，單質(zhì)Sn與干燥Cl₂反應(yīng)生成SnCl₄。常溫常壓下SnCl₄為無色液體，SnCl₄空間構(gòu)型為

正四面體形

正四面體形

，中心原子Sn的雜化方式為

sp³

sp³

。
（4）以晶胞參數(shù)（晶胞的三組棱長和三組棱相互間的夾角）為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分數(shù)坐標。四方晶系CdSnAs₂的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分數(shù)坐標如表所示。

坐標 原子	x	y	z
Cd	0	0	0
Sn	0	0	0.5
As	0.25	0.25	0.125

一個晶胞中有

4

4

個Sn,找出該晶胞內(nèi)距離Cd（0，0，0）最近的Sn

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

4

）

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

4

）

（用分數(shù)坐標表示）。