用微電極記錄細胞膜上的電位變化是研究神經(jīng)沖動產(chǎn)生、傳導和突觸傳遞原理的常用方法。根據(jù)如圖實驗方法和結(jié)果，分析并回答相關(guān)的問題。

（1）圖1顯示的突觸結(jié)構(gòu)是由

突觸前膜、突觸間隙和突觸后膜

突觸前膜、突觸間隙和突觸后膜

構(gòu)成的，興奮傳到此處時的信號變化為 

電信號→化學信號→電信號

電信號→化學信號→電信號

，圖1中的微電機M記錄到動作電位時，突觸后膜上將依次產(chǎn)生的反應是

突觸后膜上受體與神經(jīng)遞質(zhì)結(jié)合，引起突觸后膜產(chǎn)生動作電位

突觸后膜上受體與神經(jīng)遞質(zhì)結(jié)合，引起突觸后膜產(chǎn)生動作電位

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（2）研究表明，在突觸小體未產(chǎn)生動作電位的情況，微電極N上也會記錄到隨機產(chǎn)生的幅度幾乎相等的微小電位變化，如圖2所示。結(jié)合突觸的結(jié)構(gòu)和突觸傳遞的過程，分析電位變化產(chǎn)生的原因

單個突觸小泡隨機性地與突觸前膜融合，釋放的微量神經(jīng)遞質(zhì)與突觸后膜上的受體結(jié)合，引起少量Na⁺內(nèi)流，在突觸后膜上產(chǎn)生微小電位變化

單個突觸小泡隨機性地與突觸前膜融合，釋放的微量神經(jīng)遞質(zhì)與突觸后膜上的受體結(jié)合，引起少量Na⁺內(nèi)流，在突觸后膜上產(chǎn)生微小電位變化

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（3）在某些突觸中，突觸小體產(chǎn)生動作電位后，微電極N上記錄到電位負值增大的抑制性后電位（IPSP），如圖3所示。已知K⁺和CI^-通道都參與了IPSP的形成，試從該角度分析IPSP產(chǎn)生的原因

K⁺外流和Cl^-內(nèi)流

K⁺外流和Cl^-內(nèi)流

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（4）已知從刺激開始到動作電位產(chǎn)生有短暫的延遲，且與刺激強度有關(guān)。為了規(guī)避該延遲對測量精確度的影響，請利用微電極記錄技術(shù)設(shè)計實驗，精確測量動作電位在神經(jīng)軸突上的傳導速度。（實驗儀器：微電極記錄設(shè)備、刺激器、計時器、刻度尺等）
實驗思路：在神經(jīng)軸突上選取兩點，插入微電極記錄設(shè)備，

可通過測量兩個電極之間的距離，同時測量電極記錄到的動作電位的起始點的時間差即可

可通過測量兩個電極之間的距離，同時測量電極記錄到的動作電位的起始點的時間差即可

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計算：動作電位在神經(jīng)軸突上的傳導速度=

L

t

L

t

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