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試題詳情
【關(guān)注生產(chǎn)實(shí)際】
碳化硅（SiC）具有獨(dú)特的光學(xué)、電學(xué)及力學(xué)等性能，在眾多戰(zhàn)略行業(yè)具有重要的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。一種以石英砂（主要成分是SiO2，含有Fe2O3、Al2O3等雜質(zhì)）和焦炭為主要原料制備碳化硅的生產(chǎn)工藝流程如圖所示。（已知：SiO2+3C 高溫 SiC+2CO↑）
（1）SiO2中Si的化合價(jià)是 +4+4。
（2）將焦炭粉碎的目的是 增加接觸面積，利用反應(yīng)充分進(jìn)行增加接觸面積，利用反應(yīng)充分進(jìn)行。
（3）酸洗池中發(fā)生的一個(gè)反應(yīng)是 Fe2O3+3H2SO4=Fe2（SO4）3+3H2O（或Al2O3+3H2SO4=Al2（SO4）3+3H2O）Fe2O3+3H2SO4=Fe2（SO4）3+3H2O（或Al2O3+3H2SO4=Al2（SO4）3+3H2O）（寫化學(xué)方程式）。
（4）混料機(jī)內(nèi)需要進(jìn)行的操作是 過(guò)濾過(guò)濾。
（5）從環(huán)保角度考慮，上述生產(chǎn)流程需要注意的是 一氧化碳需要點(diǎn)燃排放，避免造成污染一氧化碳需要點(diǎn)燃排放，避免造成污染（寫一條）。
高溫
【答案】+4；增加接觸面積，利用反應(yīng)充分進(jìn)行；Fe2O3+3H2SO4=Fe2（SO4）3+3H2O（或Al2O3+3H2SO4=Al2（SO4）3+3H2O）；過(guò)濾；一氧化碳需要點(diǎn)燃排放，避免造成污染
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：49引用：1難度：0.3
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1．芯片是所有電腦、“智能家電”的核心部件，它是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的。硅及氧化物能發(fā)生
如下反應(yīng)：①Si+O2SiO2②SiO2+Na2CO3△Na2SiO3+CO2↑③SiO2+2C高溫Si+2CO↑高溫
④Si+2NaOH+H2ONa2SiO3+2H2↑，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ?。?/h2>△發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：27引用：1難度：0.2 -
2．高純碳酸鈣廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)藥等領(lǐng)域。某化工廠利用優(yōu)質(zhì)石灰石（含少量SiO2等不溶于水和稀鹽酸的雜質(zhì)）為原料得到高純CaCO3．其工藝流程如圖。
（1）SiO2中Si的化合價(jià)：。
（2）實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行操作Ⅰ的名稱是。
（3）請(qǐng)完成“轉(zhuǎn)化步驟中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：CaCl2+2NH3+CO2+═CaCO3↓+2NH4Cl。
（4）該工藝的副產(chǎn)品NH4Cl的用途有（寫出一種即可）。發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：22引用：2難度：0.5 -
3．芯片是中美經(jīng)貿(mào)摩擦的焦點(diǎn)之一、如圖所示為制造芯片主要材料高純硅的生產(chǎn)流程（反應(yīng)條件已略去）。下列說(shuō)法正確的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：75引用：1難度：0.7
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