元素周期表第IIIA族包括B、Al、Ga等元素,它們參與形成的化合物有重要研究和應(yīng)用價(jià)值,回答下列問(wèn)題:
(1)Ga原子的價(jià)電子排布式為 4s24p14s24p1;Ga、As和Se的第一電離能由小到大的順序是 Ga<Se<AsGa<Se<As。
(2)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),氯化鋁的蒸氣或溶于非極性溶劑中或處于熔融狀態(tài)時(shí),都以二聚態(tài)(Al2Cl6)形式存在。其球棍模型如圖所示。
①該分子中Al原子采取 sp3sp3雜化。
②Al2Cl6與過(guò)量NaOH溶液反應(yīng)生成Na[Al(OH)4],[Al(OH)4]-中存在的化學(xué)鍵類型有 BEFBEF (填標(biāo)號(hào))。
A.離子鍵
B.極性共價(jià)鍵
C.金屬鍵
D.非極性共價(jià)鍵
E.配位鍵
F.σ鍵
G.氫鍵
(3)GaN是第三代半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn),在干燥的NH3氣流中焙燒磨細(xì)的GaAs可制得GaN。GaN熔點(diǎn)約為1500℃,GaAs熔點(diǎn)為1238℃,GaN熔點(diǎn)高于GaAs的原因是 二者均為共價(jià)晶體,且GaN中N原子半徑小,Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短,鍵能更大,熔點(diǎn)更高二者均為共價(jià)晶體,且GaN中N原子半徑小,Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短,鍵能更大,熔點(diǎn)更高。
(4)GaN的其中一種晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)高度相似。該晶胞中Ga原子處于N原子形成的 正四面體正四面體(填“正四面體形”或“正八面體形”)空隙。已知GaN的密度為ρg/cm3,Ga和N的摩爾質(zhì)量分別為ag/mol和bg/mol,則GaN晶胞的邊長(zhǎng)為 34a+4bρNA×101034a+4bρNA×1010pm(列出表達(dá)式)。
3
4
a
+
4
b
ρ
N
A
×
1
0
10
3
4
a
+
4
b
ρ
N
A
×
1
0
10
【答案】4s24p1;Ga<Se<As;sp3;BEF;二者均為共價(jià)晶體,且GaN中N原子半徑小,Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短,鍵能更大,熔點(diǎn)更高;正四面體;
3
4
a
+
4
b
ρ
N
A
×
1
0
10
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/9/1 6:0:10組卷:7引用:2難度:0.6
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(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
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C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
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