低碳烯烴（乙烯、丙烯、丁烯等）作為重要的基本化工原料，在現(xiàn)代石油和化學(xué)工業(yè)中起著舉足輕重的作用。一定條件下，碘甲烷（CH₃I）熱裂解制低碳烯烴的主要反應(yīng)有：
反應(yīng)Ⅰ2CH₃I（g）?C₂H₄（g）+2HI（g）ΔH₁K_p1=a
反應(yīng)Ⅱ3C₂H₄（g）?2C₃H₆（g）ΔH₃K_p2=b
反應(yīng)Ⅲ2C₂H₄（g）?C₄H₈（g）ΔH₃K_p3=c
反應(yīng)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ在不同溫度下的分壓平衡常數(shù)K_p如表1，回答下列問(wèn)題：
表1

T/Kp	298K	323K	423K	523K	623K	723K
反應(yīng)Ⅰ	7.77×10-8	1.65×10-6	1.05×10-2	2.80	1.41×102	2.64×103
反應(yīng)Ⅱ	7.16×1013	2.33×1012	1.48×108	3.73×105	6.42×103	3.40×102
反應(yīng)Ⅲ	2.66×1011	6.04×109	1.40×105	1.94×102	2.24	8.99×10-2

（1）ΔH₁

＞

＞

0（填“＞”或“＜”，下同）。
（2）實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中，若存在副反應(yīng)：4C₃H₆（g）?3C₄H₈（g）ΔH₄K_p4
則K_p=

c

3

b

2

c

3

b

2

（用含有b、c的代數(shù)式表達(dá)），結(jié)合表1數(shù)據(jù)分析ΔH₄

＜

＜

0。
（3）控制條件只發(fā)生反應(yīng)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ，測(cè)得壓強(qiáng)對(duì)平衡體系中n（C₃H₆）/n（C₂H₄）的影響如表2。

p/MPa	0.2	0.4	0.6	0.8	1.0	1.2	1.4	1.6	1.8	2.0
n （ C 3 H 6 ） n （ C 2 H 4 ）	1.42	1.75	1.98	2.15	2.30	2.42	2.53	2.63	2.72	2.80

隨壓強(qiáng)增大

n

（

C

3

H

6

）

n

（

C

2

H

4

）

不斷增大的原因可能是

加壓，反應(yīng)Ⅰ平衡逆向移動(dòng)，反應(yīng)Ⅱ、反應(yīng)Ⅲ平衡正向移動(dòng)，C₂H₄的生成量減少，且不斷消耗，同時(shí)C₃H₆的生成量增多

加壓，反應(yīng)Ⅰ平衡逆向移動(dòng)，反應(yīng)Ⅱ、反應(yīng)Ⅲ平衡正向移動(dòng)，C₂H₄的生成量減少，且不斷消耗，同時(shí)C₃H₆的生成量增多

。
（4）結(jié)合信息，請(qǐng)推測(cè)有利于提高乙烯產(chǎn)率的措施

使用對(duì)反應(yīng)Ⅰ選擇性更高的催化劑，較高的溫度或較低的壓強(qiáng)

使用對(duì)反應(yīng)Ⅰ選擇性更高的催化劑，較高的溫度或較低的壓強(qiáng)

。
（5）其它條件不變，向容積為1L的密閉容器中投入1molCH₃I（g），假定只發(fā)生反應(yīng)Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ，溫度對(duì)平衡體系中乙烯、丙烯和丁烯所占物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)的影響如圖，715K時(shí)CH₃I（g）的平衡轉(zhuǎn)化率為

80%

80%

，反應(yīng)Ⅰ以物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)表示的平衡常數(shù)K_x=

0.64

0.64

。

（6）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，將Mn摻雜到GaAs的晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料如圖乙所示。

①圖甲中，GaAs的相對(duì)分子質(zhì)量為M，晶體密度為ρg?cm^-3，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞中距離最近的兩個(gè)Ga原子間距離為

2

2

×

3

4

M

N

A

ρ

×10⁷

2

2

×

3

4

M

N

A

ρ

×10⁷

nm（列出計(jì)算式）。
②圖乙中摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為

5：27：32

5：27：32

。