多晶硅是廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。如圖是由石英砂制備多晶硅的簡易過程。
回答下列問題:
(1)反應(yīng)①中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1:21:2。反應(yīng)②中生成SiHCl3的化學(xué)方程式為Si+3HCl 300℃ SiHCl3+H2Si+3HCl 300℃ SiHCl3+H2。分離混合物采用的方法為蒸餾,其原理是利用了物質(zhì)的沸點沸點不同。
(2)反應(yīng)③氫化過程中所需的高純度H2可通過電解精制的飽和食鹽水制得,電解過程中同時生成一種黃綠色的氣體和一種易溶、易電離的堿,電解反應(yīng)的離子方程式是2Cl-+2H2O 通電 Cl2↑+H2↑+2OH-2Cl-+2H2O 通電 Cl2↑+H2↑+2OH-。粗鹽水精制過程中,為有效除去Ca2+、Mg2+、SO42-等雜質(zhì),要按acb或cab或cbaacb或cab或cba順序(填標號)加入下列溶液:a.NaOHb.Na2CO3c.BaCl2,過濾后再向濾液中加適量鹽酸適量鹽酸調(diào)節(jié)pH。
(3)反應(yīng)④中H2還原SiHCl3過程中若混入O2,除可能引起爆炸外,還可能引起Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純。由粗硅制備多晶硅的過程中,循環(huán)使用的物質(zhì)除SiCl4、SiHCl3和Si外,還有HCl、H2HCl、H2。(填分子式)
300
℃
300
℃
通電
通電
【答案】1:2;Si+3HCl SiHCl3+H2;沸點;2Cl-+2H2O Cl2↑+H2↑+2OH-;acb或cab或cba;適量鹽酸;Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純;HCl、H2
300
℃
通電
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:21引用:2難度:0.5
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1.材料與化學(xué)密切相關(guān),表中對應(yīng)關(guān)系錯誤的是( )
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