碳和硅是自然界中大量存在的元素，硅及其化合物是工業(yè)上最重要的材料。粗硅的制備有二種方法：
方法一：SiO2+2C 高溫 Si+2CO↑ 方法二：SiO2+2Mg 高溫 Si+2MgO
（1）基態(tài)硅原子中存在 66對(duì)自旋相反的電子，基態(tài)Mg 的最外層電子所占據(jù)的能級(jí)的電子云能廓圖是 球形球形。
（2）上述反應(yīng)中所有元素第一電離能最小的元素是 MgMg（填元素符號(hào)）。
（3）試比較C （金剛石），晶體Si,CO 三種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)從高到低的順序 C＞Si＞COC＞Si＞CO，試解釋原因：金剛石和晶體硅都是原子晶體且晶體結(jié)構(gòu)相似，C的原子半徑小于硅的原子，所以金剛石中C-C鍵長(zhǎng)短，鍵能大，所以金剛石的熔沸點(diǎn)比晶體硅小，CO是分子晶體熔沸點(diǎn)最小金剛石和晶體硅都是原子晶體且晶體結(jié)構(gòu)相似，C的原子半徑小于硅的原子，所以金剛石中C-C鍵長(zhǎng)短，鍵能大，所以金剛石的熔沸點(diǎn)比晶體硅小，CO是分子晶體熔沸點(diǎn)最小。
（4）CO 在配合物中可作為配體，在Cr（CO）6配合物中配原子是 CC（填元素符號(hào)）1mol該配合物中含有π鍵的數(shù)目 12×6.02×10 2312×6.02×10 23。
（5）SiO2晶跑（如圖1）可理解成將金剛石晶胞（如圖2）中的C原子置換成Si原子，然后在Si-Si之間插入O原子而形成。
①推測(cè)SiO2晶胞中Si采用 sp3sp3雜化，O-Si-O的鍵角 109°28′109°28′。
②SiO2晶跑中，含有Si原子 88個(gè)和O原子 1616個(gè)。
③假設(shè)金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為apm,試計(jì)算該晶胞的密度 4806.02×1023×（a×10-10）34806.02×1023×（a×10-10）3g/cm3 （寫(xiě)出表達(dá)式即可）。
高溫
高溫
480
6
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×
1
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（
a
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3
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【答案】6；球形；Mg；C＞Si＞CO；金剛石和晶體硅都是原子晶體且晶體結(jié)構(gòu)相似，C的原子半徑小于硅的原子，所以金剛石中C-C鍵長(zhǎng)短，鍵能大，所以金剛石的熔沸點(diǎn)比晶體硅小，CO是分子晶體熔沸點(diǎn)最小；C；12×6.02×10 23；sp3；109°28′；8；16；
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6
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/5/23 20:38:36組卷：19引用：5難度：0.4
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類(lèi)似。則N原子的雜化軌道類(lèi)型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請(qǐng)寫(xiě)出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請(qǐng)寫(xiě)一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱(chēng)為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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