由P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途,回答下列問(wèn)題。
(1)基態(tài)Cl原子核外電子占有的原子軌道數(shù)為 99個(gè),P、S、Cl的第一電離能由大到小順序?yàn)?Cl>P>SCl>P>S。
(2)PCl3分子中的中心原子雜化軌道類型是 sp3sp3,該分子構(gòu)型為 三角錐形三角錐形。
(3)PH4Cl的電子式為 ,Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4,該分子中π鍵與σ鍵個(gè)數(shù)比為 1:11:1。
(4)已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)(如圖1)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66Pm和 69pm,則熔點(diǎn):MgO >>NiO(填“>”、“<”或“=”),理由是 離子所帶電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ni2+小,所以MgO的晶格能比NiO大,MgO熔點(diǎn)高離子所帶電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ni2+小,所以MgO的晶格能比NiO大,MgO熔點(diǎn)高。
(5)若NiO晶胞中離子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0),B為(1,1,0),則C離子坐標(biāo)參數(shù)為 (1,12,12)(1,12,12)。
(6)一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認(rèn)為O2-作密置單層排列,Mi2+填充其中(如圖2),已知O2-的半徑為a m,每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為 7523a3NA7523a3NAg.(用a、NA表示)
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【答案】9;Cl>P>S;sp3;三角錐形;;1:1;>;離子所帶電荷數(shù)相同,Mg2+半徑比Ni2+小,所以MgO的晶格能比NiO大,MgO熔點(diǎn)高;(1,,);
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:7引用:2難度:0.5
相似題
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1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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