超導(dǎo)材料和超導(dǎo)技術(shù)是2世紀(jì)最偉大的發(fā)現(xiàn)之一,有著廣闊的應(yīng)用前景。我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種新型的超導(dǎo)體材料Bi3O2S2Cl,由[Bi2O2]2+和[BixSyClz]2-交替堆疊構(gòu)成。其中A層是由Bi-Cl無限四方平面層構(gòu)成,S原子位于八面體上下頂點(diǎn)上(如圖a),其俯視圖如圖b。
(1)畫出基態(tài)S的價(jià)電子排布圖 。
(2)寫出A層離子的化學(xué)式 [BiS2Cl]2?[BiS2Cl]2?。A層各元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?Cl>S>BiCl>S>Bi。
(3)“依布硒”()具有良好的抗炎活性。下列說法正確的是 acac。
a.Se采用sp3的方式雜化
b.分子中各個C原子的雜化方式不同
c.分子中既含有極性共價(jià)鍵,又含有非極性共價(jià)鍵
d.分子中C-Se-N和C-N-Se的鍵角相同
(4)H2O和H2S都是分子晶體,熔沸點(diǎn)較高的是 H2OH2O,原因是 H2O間存在著氫鍵,H2O間存在著氫鍵,。
(5)83Bi是第 六六周期ⅤA族元素,NaBiO3是一種極少數(shù)不溶性的鈉鹽,其陰離子的立體構(gòu)型為 平面三角形平面三角形。
(6)汞鋇銅氧晶體通過摻雜Ca2+可以獲得具有更高臨界溫度的超導(dǎo)材料,如圖c所示。其密度為 201+10+137×2+64×21+16×6a2cNA×1030201+10+137×2+64×21+16×6a2cNA×1030g?cm-3(列式表示、設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
201
+
10
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137
×
2
+
64
×
21
+
16
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6
a
2
c
N
A
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a
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N
A
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算;原子軌道雜化方式及雜化類型判斷.
【答案】;[BiS2Cl]2?;Cl>S>Bi;ac;H2O;H2O間存在著氫鍵,;六;平面三角形;×1030
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10
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137
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2
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64
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21
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A
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:27引用:1難度:0.5
相似題
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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