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某工業(yè)生產(chǎn)流程如圖所示:
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每生成1t產(chǎn)品,需要通入含有0.2%(體積分?jǐn)?shù),下同)的惰性雜質(zhì)CH4的新鮮原料氣2800m3.經(jīng)分離器分離產(chǎn)品后,剩余氣體中含有大量未充分反應(yīng)的原料與3%的CH4.在連續(xù)生產(chǎn)的條件下,可對(duì)剩余氣體采用部分循環(huán)、部分移走的操作,一方面能提高原料的利用率,節(jié)省成本,另一方面也避免裝置中CH4越來(lái)越多而對(duì)生產(chǎn)造成不利影響。已知在此生產(chǎn)條件下,CH4在每噸產(chǎn)品中的溶解量為2.3m3,計(jì)算每生產(chǎn)1t產(chǎn)品需要移走氣體的體積。

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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:53引用:2難度:0.3
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    如下反應(yīng):①Si+O2
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    高溫
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    高溫
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    ④Si+2NaOH+H2O
    Na2SiO3+2H2↑,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是(  )

    發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:27引用:1難度:0.2
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    (1)SiO2中Si的化合價(jià):
     
    。
    (2)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行操作Ⅰ的名稱是
     
    。
    (3)請(qǐng)完成“轉(zhuǎn)化步驟中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式:CaCl2+2NH3+CO2+
     
    ═CaCO3↓+2NH4Cl。
    (4)該工藝的副產(chǎn)品NH4Cl的用途有
     
    (寫出一種即可)。

    發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:22引用:2難度:0.5
  • 3.芯片是中美經(jīng)貿(mào)摩擦的焦點(diǎn)之一、如圖所示為制造芯片主要材料高純硅的生產(chǎn)流程(反應(yīng)條件已略去)。下列說(shuō)法正確的是(  )
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    發(fā)布:2024/12/22 8:0:1組卷:75引用:1難度:0.7
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