今年是俄羅斯化學(xué)家門捷列夫提出“元素周期律”150周年。門捷列夫為好幾種當(dāng)時尚未發(fā)現(xiàn)的元素（如“類鋁”、“類硅”和“類硼”）留下了空位。而法國科學(xué)家在1875年研究閃鋅礦（ZnS）時發(fā)現(xiàn)的“鎵”，正是門捷列夫預(yù)言的“類鋁”，性質(zhì)也是和預(yù)言中驚人的相似。
回答下列問題：
（1）①寫出鎵的基態(tài)原子的電子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p11s22s22p63s23p63d104s24p1；門捷列夫預(yù)言的“類硼”就是現(xiàn)在的鈧、“類硅”即使現(xiàn)在的鍺，這三種元素的原子中，未成對的電子數(shù)最多的是GeGe（填元素符號）。
②下列說法最有可能正確的一項是DD。（填字母）
A．類鋁在1000℃時蒸氣壓很高 B．類鋁的氧化物不能溶于堿
C．類鋁不能與沸水反應(yīng) D．類鋁能生成類似明礬的礬類
（2）氯化鎵熔點77.9℃，其中鎵的雜化方式與下列微粒的中心原子雜化方式相同且氯化鎵空間構(gòu)型也與其微粒相同的是BDBD。（填字母）
A．PCl3 B．SO3 C．CH3- D．NO3-
（3）鎵多伴生在鋁土礦、二硫鎵銅礦等礦中。
①Cu（OH）2可溶于氨水，形成的配合物中，配離子的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為（用“→”表示出配位鍵）
。
②鋅的第一電離能（I1）大于銅的第一電離能，而鋅的第二電離能（I2）卻小于銅的第二電離能的主要原因是失去1個電子后Zn+價電子排布為3d104s1，而Cu+價電子排布為3d10，Cu+達到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的失去1個電子后Zn+價電子排布為3d104s1，而Cu+價電子排布為3d10，Cu+達到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的。
（4）2011年，我國將鎵列為戰(zhàn)略儲備金屬，我國的鎵儲量約占世界儲量的80%以上。砷化鎵也是半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)與硫化鋅類似，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：
①原子坐標(biāo)參數(shù)是晶胞的基本要素之一，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。圖中A（0，0，0）、B（12，12，0）、C（1，12，12），則此晶胞中，距離A球最遠的黑球的坐標(biāo)參數(shù)為（34，34，34）（34，34，34）。
②若砷和鎵的原子半徑分別為acm和bcm,砷化鎵的摩爾質(zhì)量為Mg/mol、密度為ρg/cm3，晶胞中原子體積占空間體積百分率為w（即原子體積的空間占有率），則阿伏加德羅常數(shù)為wMρ×43π（a3+b3）wMρ×43π（a3+b3）mol-1。
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×
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（
a
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+
b
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×
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π
（
a
3
+
b
3
）
【答案】1s22s22p63s23p63d104s24p1；Ge；D；BD；；失去1個電子后Zn+價電子排布為3d104s1，而Cu+價電子排布為3d10，Cu+達到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的；（，，）；
；失去1個電子后Zn+價電子排布為3d104s1，而Cu+價電子排布為3d10，Cu+達到更穩(wěn)定狀態(tài)，故Zn的第二電離能小于Cu的；（3
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3
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（
a
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【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：82引用：5難度：0.4
相似題
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1．在北京冬奧會中從清潔能源到環(huán)保材料，化學(xué)高科技所起的作用功不可沒。
（1）本屆冬奧會的頒獎禮服外觀典雅大方，內(nèi)膽還添加了一種黑色材料——第二代石墨烯發(fā)熱材料。制備石墨烯方法有石墨剝離法、化學(xué)氣相沉積法等。金剛石（a）和石墨（b）的結(jié)構(gòu)如圖所示；
①下列說法正確的是。
A．金剛石和石墨互為同素異形體，金剛石轉(zhuǎn)變?yōu)槭俏锢碜兓?br />B．石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面
C．12g金剛石含σ鍵數(shù)為4NA
D．從石墨剝離得石墨烯需克服石墨層與層之間的分子間作用
②請從結(jié)構(gòu)的角度解釋石墨的熔點高于金剛石。
（2）國家速滑館“冰絲帶”1.2萬平方米的整塊冰面，是首次采用二氧化碳跨臨界直冷制冰技術(shù)打造的最大的多功能全冰面。二氧化碳跨臨界直冷制冰，就是將氣態(tài)二氧化碳通過加溫加壓形成超臨界二氧化碳流體，再對超臨界二氧化碳進行降溫降壓達到-20℃至-15℃，再相變蒸發(fā)吸熱完成制冷和制冰的過程。
①寫出二氧化碳跨臨界直冷制冰技術(shù)的優(yōu)點。
②如圖是CO2的一種過渡金屬配合物的結(jié)構(gòu)，R為氫或苯基，該配合物可以催化乙烯的聚合反應(yīng)。
該配合物中鈦原子的基態(tài)核外價層電子排布式為；B原子的雜化類型。分子中的離域π鍵可用符號πmn表示，其中m代表參與形成離域π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成離域π鍵的電子數(shù)（如苯分子中的離域π鍵可表示為π66），該配合物中有一種配體是環(huán)戊二烯基
，環(huán)戊二烯負(fù)離子的離域π鍵應(yīng)表示為 。
（3）在一定條件下，CO2分子可形成俗稱干冰的晶體。在干冰的立方晶胞中，碳原子位于頂點和面心位置，分子軸平行于立方體的體對角線，如圖所示。
①該晶體中CO2分子的配位數(shù)；
②以下晶體中，與干冰具有相同晶體結(jié)構(gòu)的是；
A．Na
B．碘
C．Cu
D．Mg
E．冰
③已知干冰的密度為ρg?cm-3，計算兩個分子中心之間的最短距離L=pm（用含ρ、NA的代數(shù)式表示）。發(fā)布：2024/12/30 18:0:1組卷：30引用：2難度：0.5 -
2．金屬及其化合物在生產(chǎn)生活等各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
（1）鈦具有良好的金屬性能。鈦基態(tài)原子中電子占據(jù)能級個數(shù)為。與鈦同周期的元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的還有種。鈦比鋼輕、比鋁硬，是一種新興的結(jié)構(gòu)材料，鈦硬度比鋁大的可能原因是。
（2）有一種氮化鈦晶體的晶胞與NaCl晶胞相似，該晶胞中N、Ti之間的最近距離為a×10-10cm,則該氮化鈦的密度為g?cm-3（NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，只列計算式）。
（3）Li是最輕的固體金屬，采用Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用。Li2O是離子晶體，其晶格能可通過圖（a）的Bom-Haber循環(huán)計算得到。
Li原子的第一電離能為kJ?mol-1，O═O鍵鍵能為kJ?mol-1，Li2O晶格能為kJ?mol-1。
（4）Zn可形成多種化合物，其中立方ZnS晶胞結(jié)構(gòu)如圖（b），其陰離子（S2-）按面心立方密堆積排布，立方ZnS的配位數(shù)與NaCl不同，這是由因素決定的。發(fā)布：2024/12/30 18:30:1組卷：7引用：2難度：0.7 -
3．氟代硼酸鉀（KBe2BO3F2）是激光器的核心材料，我國化學(xué)家在此領(lǐng)域的研究走在了世界的最前列?；卮鹣铝袉栴}：
（1）氟代硼酸鉀中非金屬元素原子的電負(fù)性大小順序是。
（2）NaBH4是有機合成中常用的還原劑，其中的陰離子空間構(gòu)型是，中心原子的雜化方式為。NaBH4中存在（填標(biāo)號）。
a.離子鍵
b.氫鍵
c.σ鍵
d.π鍵
（3）BeCl2中的化學(xué)鍵具有明顯的共價性，蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在的BeCl2的結(jié)構(gòu)式為。
（4）第三周期元素氟化物的熔點如表：
解釋表中氟化物熔點變化的原因：化合物 NaF MgF2 AlF3 SiF4 PF5 SF6 熔點/℃ 993 1261 1291 -90 -83 -50.5 。
（5）CaF2的一種晶胞如圖所示。Ca2+占據(jù)F-形成的空隙，若r（F-）=xpm,r（Ca2+）=ypm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則CaF2的密度ρ=g?cm-3（列出計算表達式）。發(fā)布：2024/12/30 18:30:1組卷：7引用：2難度：0.5
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