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GaN是制造5G芯片的材料,氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光。回答下列問題:
(1)基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]
3d104s24p3
3d104s24p3
,下列狀態(tài)的鋁中,電離最外層的一個(gè)電子所需能量最小是
D
D
(填標(biāo)號(hào))。
A.菁優(yōu)網(wǎng)
B.菁優(yōu)網(wǎng)
C.菁優(yōu)網(wǎng)
D.菁優(yōu)網(wǎng)
(2)8-羥基喹啉鋁(分子式C27H18AlN3O3)用于 發(fā)光材料及電子傳輸材料,可由LiAlH4
菁優(yōu)網(wǎng)(8一羥基喹啉)合成。LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
;
菁優(yōu)網(wǎng)所含元素中電負(fù)性最大的是
O
O
(填元素符號(hào)),C、N、O的雜化方式依次為
sp2
sp2
、
sp2
sp2
sp3
sp3
。
(3)已知下列化合物的熔點(diǎn):
化合物 AlF3 GaF3 AlCl3
 熔點(diǎn)/℃  1040 1000 194
①表中鹵化物的熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因是
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
。
②熔融AlCl3時(shí)可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al2Cl6,二聚體Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為
菁優(yōu)網(wǎng)
菁優(yōu)網(wǎng)
;其中Al的配位數(shù)為
4
4
。

【答案】3d104s24p3;D;正四面體;O;sp2;sp2;sp3;AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3菁優(yōu)網(wǎng);4
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:5引用:1難度:0.6
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