用基本原理如圖所示的裝置做離子控制實驗,其相關(guān)參數(shù)如下:
①空腔圓柱截面半徑為R,壁厚可以忽略不計;
②工作區(qū)Ⅰ長度d=4R,內(nèi)有沿y軸正向的勻強(qiáng)電場;
③工作區(qū)Ⅱ長度未知,內(nèi)有沿z軸負(fù)向的勻強(qiáng)磁場。
現(xiàn)有一質(zhì)量為m,電量為q的正離子從左側(cè)截面的最低點A處,以初速度v0沿z軸正向進(jìn)入Ⅰ區(qū),經(jīng)過兩個區(qū)域分界面上的B點進(jìn)入Ⅱ區(qū),在以后的運(yùn)動過程中恰好未碰到圓柱腔的內(nèi)壁,最終從右側(cè)截面上的C點飛出,B點和C點均為所在截面處豎直半徑的中點(如圖中所示),不計粒子重力,求:
(1)Ⅰ區(qū)中電場強(qiáng)度的大小E;
(2)Ⅱ區(qū)中磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B;
(3)Ⅱ區(qū)的長度L應(yīng)為多大。
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/7/13 8:0:9組卷:99引用:3難度:0.5
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