AlN、GaN屬于第三代半導體材料，二者成鍵結構與金剛石相似，晶體中只存在N-Al鍵、N-Ga鍵。下列說法錯誤的是（　　）

A．GaN的熔點高于AlN

B．晶體中所有化學鍵均為極性鍵

C．晶體中所有原子均采取sp³雜化

D．晶體中所有原子的配位數(shù)均相同

【答案】A

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/12/17 15:30:2組卷：510引用：5難度：0.6

相似題

1．下列有關晶體的說法中一定正確的是（　?。?/h2>

A．三種晶體的硬度由大到?。航饎偸維iC＞晶體硅

B．由于石墨的熔點很高，所以它是共價晶體

C．某晶體中有陽離子一定也有陰離子

D．離子晶體中都含有離子鍵，所以分子晶體中也一定含有共價鍵

發(fā)布：2024/12/30 16:0:2組卷：25引用：3難度：0.6

2．氮化硅（Si₃N₄）是一種高溫陶瓷材料，它難溶于水、硬度大、熔點高、化學性質(zhì)穩(wěn)定．則由此推測氮化硅是（　?。?/h2>
A．離子晶體 B．分子晶體 C．原子晶體 D．金屬晶體
發(fā)布：2024/12/30 16:0:2組卷：22引用：3難度：0.9
解析

A．在SiO₂晶體中，1個硅原子和2個氧原子形成2個共價鍵

B．基態(tài)原子的價電子排布為（n-1）d^xns^y的元素，族序數(shù)一定為x+y

C．HCl的相對分子質(zhì)量大于HF，所以HCl的沸點高于HF

D．金剛石為網(wǎng)狀結構，由共價鍵形成的碳原子環(huán)中，最小環(huán)上有6個碳原子

發(fā)布：2024/12/30 15:30:1組卷：44引用：2難度：0.7

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