第三代太陽能電池是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。請回答下列問題：
（1）晶體Si中硅原子的雜化方式是 sp3sp3，基態(tài)Ga原子的價(jià)電子排布式是 4s24p14s24p1。
（2）H2O沸點(diǎn) 高于高于（填“高于”或“低于”）H2Se的沸點(diǎn)，其原因是 水分子間存在氫鍵，H2Se分子間不存在氫鍵水分子間存在氫鍵，H2Se分子間不存在氫鍵。
（3）向硫酸銅溶液中逐滴滴加濃氨水，先出現(xiàn)藍(lán)色絮狀沉淀，后沉淀逐漸溶解得到的深藍(lán)色透明溶液。
①在[Cu（NH3）4]2+中，Cu2+與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為 配位鍵配位鍵，提供孤電子對的成鍵原子是 NN。
②鋅與銅位于同一周期。硫化鋅的結(jié)構(gòu)如圖甲所示，硫離子周圍等距離且最近的鋅離子個(gè)數(shù)是 44；某含銅化合物的晶胞如圖乙所示，晶胞上下底面為正方形，側(cè)面與底面垂直，則該化合物的化學(xué)式為 CuFeS2CuFeS2，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶胞的密度是 736a2bNA×1030736a2bNA×1030g?cm-3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）
736
a
2
b
N
A
×
1
0
30
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a
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b
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【答案】sp3；4s24p1；高于；水分子間存在氫鍵，H2Se分子間不存在氫鍵；配位鍵；N；4；CuFeS2；
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a
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b
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A
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【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：4引用：1難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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