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磷元素是組成遺傳物質(zhì)核酸的基本成分之一,而錫元素(Sn)形成的某些化合物能夠促進(jìn)核酸的合成?;卮鹣铝袉栴}。
(1)基態(tài)磷原子電子占據(jù)的最高能層符號(hào)是
M
M
,占據(jù)該能層的電子中能量最高的電子其電子云在空間有
3
3
個(gè)伸展方向,原子軌道呈
啞鈴
啞鈴
形。
(2)錫元素可形成白錫、灰錫、脆錫三種單質(zhì)。研究灰錫晶體的結(jié)構(gòu)最常用的儀器是
X-射線衍射儀
X-射線衍射儀
。灰錫晶體與金剛石結(jié)構(gòu)相同,但灰錫不穩(wěn)定,其原因是
Sn-Sn鍵的鍵長(zhǎng)長(zhǎng),鍵能小,故灰錫不穩(wěn)定
Sn-Sn鍵的鍵長(zhǎng)長(zhǎng),鍵能小,故灰錫不穩(wěn)定
。
(3)固態(tài)PCl5結(jié)構(gòu)中存在PCl4+和PCl6-兩種結(jié)構(gòu)單元,其晶胞如圖所示。
①PCl4+的空間結(jié)構(gòu)為
正四面體
正四面體
,PCl3的鍵角小于PCl4+鍵角的原因?yàn)?!--BA-->
PCl3和PCl4+中磷原子的雜化方式均為sp3雜化,PCl3磷原子價(jià)層電子對(duì)中有一對(duì)孤電子對(duì),PCl4+磷原子價(jià)層電子對(duì)中無(wú)孤電子對(duì),孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力
PCl3和PCl4+中磷原子的雜化方式均為sp3雜化,PCl3磷原子價(jià)層電子對(duì)中有一對(duì)孤電子對(duì),PCl4+磷原子價(jià)層電子對(duì)中無(wú)孤電子對(duì),孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力

②已知晶胞的邊長(zhǎng)為anm,阿伏加德羅常數(shù)值用NA表示。則PCl4+和PCl6-之間的最短距離為
3
2
a
×
1
0
3
3
2
a
×
1
0
3
pm,固態(tài)PCl5的密度為
4
.
21
×
1
0
23
a
3
N
A
4
.
21
×
1
0
23
a
3
N
A
g.jye.ai-3

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】M;3;啞鈴;X-射線衍射儀;Sn-Sn鍵的鍵長(zhǎng)長(zhǎng),鍵能小,故灰錫不穩(wěn)定;正四面體;PCl3和PCl4+中磷原子的雜化方式均為sp3雜化,PCl3磷原子價(jià)層電子對(duì)中有一對(duì)孤電子對(duì),PCl4+磷原子價(jià)層電子對(duì)中無(wú)孤電子對(duì),孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力;
3
2
a
×
1
0
3
;
4
.
21
×
1
0
23
a
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:26引用:3難度:0.5
相似題
  • 1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
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