磷化硼是一種受關(guān)注的耐磨涂層材料，可作為鈦等金屬表面的保護(hù)薄膜．
（1）三溴化硼和三溴化磷在高溫條件下與氫氣反應(yīng)可制得磷化硼．
①磷原子中存在55種不同能量的電子，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為MM．
②上述反應(yīng)的化學(xué)方程式為BBr3+PBr3+3H2 高溫 BP+6HBrBBr3+PBr3+3H2 高溫 BP+6HBr．
③常溫下，三溴化磷是淡黃色發(fā)煙液體，可溶于丙酮、四氯化碳中，該物質(zhì)屬于
分子分子晶體（填晶體類型）．
（2）酸堿質(zhì)子理論認(rèn)為，在反應(yīng)過程中能給出質(zhì)子的物質(zhì)稱為酸，如H3PO4；酸堿電子理論認(rèn)為，可以接受電子對(duì)的物質(zhì)稱為路易斯酸，如硼酸[B（OH）3]．
①已知pKa=-lgKa，酸性：BrCH2COOH＞CH3COOH．據(jù)此推測(cè)，
pKa：AtCH2COOH＞＞ClCH2COOH（填“＞”、“＜”、“=”）
②磷酸是三元酸，寫出兩個(gè)與PO43-具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子SO42-、ClO4-等合理答案SO42-、ClO4-等合理答案．
③硼酸是一元弱酸，它在水中表現(xiàn)出來的弱酸性，并不是自身電離出氫離子所致，而是水分子與B（OH）3加合，生成一個(gè)酸根離子，請(qǐng)寫出該陰離子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式
．（若存在配位鍵需標(biāo)出）
（3）高溫陶瓷材料Si3N4的成鍵方式如圖1所示，結(jié)構(gòu)中N-Si-N的鍵角比Si-N-Si的鍵角來得大，其原因是N、Si原子均采取sp3雜化，一個(gè)Si原子與4個(gè)N原子成鍵，N-Si-N的鍵角為109.5°，而一個(gè)N原子與3個(gè)Si原子成鍵，N上還有一對(duì)孤對(duì)電子，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以Si-N-Si的鍵角更小N、Si原子均采取sp3雜化，一個(gè)Si原子與4個(gè)N原子成鍵，N-Si-N的鍵角為109.5°，而一個(gè)N原子與3個(gè)Si原子成鍵，N上還有一對(duì)孤對(duì)電子，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以Si-N-Si的鍵角更小．
（4）磷化硼的晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示．晶胞中P原子的堆積方式為面心立方最密面心立方最密（填“簡(jiǎn)單立方”、“體心立方”或“面心立方最密”）堆積．若該晶體中最鄰近的兩個(gè)P原子之間的距離為a nm,則晶體密度為（11+31）×4（2a×10-7）3NA（11+31）×4（2a×10-7）3NAg?cm-3．（列出計(jì)算式）
高溫
高溫
（
11
+
31
）
×
4
（
2
a
×
1
0
-
7
）
3
N
A
（
11
+
31
）
×
4
（
2
a
×
1
0
-
7
）
3
N
A
【答案】5；M；BBr3+PBr3+3H2 BP+6HBr；分子；＞；SO42-、ClO4-等合理答案；；N、Si原子均采取sp3雜化，一個(gè)Si原子與4個(gè)N原子成鍵，N-Si-N的鍵角為109.5°，而一個(gè)N原子與3個(gè)Si原子成鍵，N上還有一對(duì)孤對(duì)電子，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以Si-N-Si的鍵角更?。幻嫘牧⒎阶蠲?；
高溫
；N、Si原子均采取sp3雜化，一個(gè)Si原子與4個(gè)N原子成鍵，N-Si-N的鍵角為109.5°，而一個(gè)N原子與3個(gè)Si原子成鍵，N上還有一對(duì)孤對(duì)電子，孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)間的排斥力大于成鍵電子對(duì)之間的排斥力，所以Si-N-Si的鍵角更?。幻嫘牧⒎阶蠲?；（
11
+
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）
×
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2
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×
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）
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：22引用：2難度：0.3
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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