高效節(jié)能、壽命長的半導(dǎo)體照明產(chǎn)品正在引領(lǐng)照明行業(yè)的綠色變革，而氮化鎵（GaN）的研制是實現(xiàn)半導(dǎo)體照明的核心技術(shù)和基礎(chǔ)，當前我國在第三代半導(dǎo)體材解研制方面走在世界的前列。回答下列有關(guān)問題。
（1）基態(tài)Ga原子的價層電子排布式為

4s²4p¹

4s²4p¹

。
（2）GaN在加熱條件下與NaOH溶液發(fā)生如下反應(yīng)：CaN+OH^-+H₂O=

G

a

O

-

2

+NH₃↑。
①基態(tài)N、O分別失去一個電子時，需要吸收能量更多的是

N

N

，判斷的理由是

N的2p軌道電子排布為半滿，較為穩(wěn)定，第一電離能偏大

N的2p軌道電子排布為半滿，較為穩(wěn)定，第一電離能偏大

。
②

G

a

O

-

2

在高氯酸的熱溶液中可以生成化合物[Ga（H₂O）₆]（ ClO₄）₃，該化合物中提供孤電子對形成配位鍵的原子為

O

O

，1mol[Ga（H₂O）₆]³⁺中所含有的σ鍵數(shù)目為

18N_A

18N_A

，

C

l

O

-

4

與H₂O相比，鍵角

C

l

O

-

4

＞

＞

H₂O（填“＞”或“＜”）。
（3）GaN的一種晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被N原子代替，頂點和面心的碳原子被Ga原子代替。
①氮化鎵中鎵原子的雜化方式為

sp³

sp³

，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為

四面體形

四面體形

。
②以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數(shù)坐標。若沿y軸投影的晶胞中所有原子的分布圖如圖所示，則2、3、4原子的分數(shù)坐標不可能的是

d

d

（填序號）。
a.（0.75，0.75，0.25）
b.（0.75，0.25，0.75）
c.（0.25，0.25，0.25）
d.（0.25，0.75，0.25）
③GaN晶體中N和N的原子核間距為apm,GaN的摩爾質(zhì)量為Mg?mol^-1，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則GaN晶體的密度為

4

M

N

A

×

（

2

a

×

1

0

-

10

）

3

4

M

N

A

×

（

2

a

×

1

0

-

10

）

3

g?cm^-3。