以氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）為代表的第三代半導體材料目前已成為全球半導體研究的前沿和熱點，如砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能即為10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措。請回答下列問題：
（1）基態(tài)鎵原子的價電子排布式為4s24p14s24p1。
（2）鎵失去電子的逐級電離能（單位：kJ?mol-1）的數(shù)值依次為577、1985、2962、6192，由此可推知鎵的主要化合價為+1+1和+3．砷的電負性比鎵大大（填“大”或“小”）。
（3）比較下列鎵的鹵化物的熔點和沸點，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點依次升高，分析其變化原因：GaCl3、GaBr3、GaI3均為分子晶體，結構相似，相對分子質量依次增大，分子間作用力依次增強GaCl3、GaBr3、GaI3均為分子晶體，結構相似，相對分子質量依次增大，分子間作用力依次增強。
| 鎵的鹵化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔點/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸點/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3為離子晶體
GaF3為離子晶體
。（4）①砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD（金屬有機物化學氣相淀積）方法制備得到的，該反應在700℃進行，反應的方程式為：
（CH3）3Ga+AsH3GaAs+3CH4
700
℃
（CH3）3Ga+AsH3GaAs+3CH4
。700
℃
②反應物AsH3分子的幾何構型為
三角錐形
三角錐形
，（CH3）3Ga中鎵原子雜化方式為sp2
sp2
。（5）砷化鎵熔點為1238℃，立方晶胞結構如圖所示，晶胞參數(shù)為a=565pm,As的配位數(shù)為
4
4
，晶體的密度為580
N
A
?
（
565
×
10
-
10
）
3
580
N
A
?
（
565
×
10
-
10
）
3
【答案】4s24p1；+1；大；GaCl3、GaBr3、GaI3均為分子晶體，結構相似，相對分子質量依次增大，分子間作用力依次增強；GaF3為離子晶體；（CH3）3Ga+AsH3GaAs+3CH4；三角錐形；sp2；4；
700
℃
580
N
A
?
（
565
×
10
-
10
）
3
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：14引用：1難度：0.6
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5