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砷的一些化合物常用作半導(dǎo)體材料、除草劑、殺鼠藥等。回答下列問題:
(1)基態(tài)As原子的核外電子排布式為[Ar]
3d104s24p3
3d104s24p3
,有
3
3
個未成對電子。
(2)As與N是同族元素,AsH3的沸點(-62.5℃)比NH3的沸點(-33.5℃)低,原因是
AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間可形成氫鍵
AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間可形成氫鍵
。
(3)H3AsO4和H3AsO3是砷的兩種含氧酸,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系,解釋H3AsO4比H3AsO3酸性強的原因:
H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,H3AsO4正電性更高,導(dǎo)致As-O-H中O的電子更向As偏移,更易電離出H+
H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,H3AsO4正電性更高,導(dǎo)致As-O-H中O的電子更向As偏移,更易電離出H+
。
(4)鎵氮砷合金材料太陽能電池效率達40%.Ga、N、As電負性由大到小的順序是
N>As>Ga
N>As>Ga
。
(5)As4O6的分子結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中As原子的雜化方式為
sp3
sp3
,1mol As4O6中含有的σ鍵的數(shù)目為
12
12
mol。
(6)晶胞有兩個基本要素:
①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。圖2為LiZnAs基稀磁半導(dǎo)體的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A處Li為(0,0,
1
2
),B處As為(
1
4
1
4
,
1
4
),C處Li的坐標(biāo)參數(shù)為
1
2
,
1
2
1
2
1
2
,
1
2
,
1
2
。
②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知LiZnAs晶體的晶胞參數(shù)a=594pm,其密度為
4
×
147
N
A
?
594
×
10
-
10
3
4
×
147
N
A
?
594
×
10
-
10
3
g?cm-3(列出計算式即可)。

【答案】3d104s24p3;3;AsH3分子間不能形成氫鍵,而NH3分子間可形成氫鍵;H3AsO4和H3AsO3可分別表示為(HO)3AsO和(HO)3As,H3AsO3中As為+3價,而H3AsO4中的As為+5價,H3AsO4正電性更高,導(dǎo)致As-O-H中O的電子更向As偏移,更易電離出H+;N>As>Ga;sp3;12;(
1
2
,
1
2
1
2
);
4
×
147
N
A
?
594
×
10
-
10
3
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:22引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
    ④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
    試回答下列問題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
     
    ,F(xiàn)的價層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
     
    (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
  • 2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     

    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     

    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有
     
    個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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