金剛石、SiC具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕特性，應(yīng)用廣泛。
（1）一定條件下，Na與CCl₄可制備金剛石，反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫后，回收其中的CCl₄的實(shí)驗(yàn)操作名稱(chēng)為

過(guò)濾

過(guò)濾

。推測(cè)該反應(yīng)的類(lèi)型為

BC

BC

。（填標(biāo)號(hào)）
A．．分解反應(yīng)       B．置換反應(yīng)         C．氧化還原反應(yīng)        D．離子反應(yīng)
（2）已知：Si+2NaOH+H₂O═Na₂SiO₃+2H₂↑．在高溫電爐中碳和SiO₂反應(yīng)可制得SiC，同時(shí)生成CO，其粗產(chǎn)品中雜質(zhì)為Si和SiO₂。
①請(qǐng)寫(xiě)出電爐中所發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：

SiO₂+3C

高溫

SiC+2CO↑

SiO₂+3C

高溫

SiC+2CO↑

，
每有1mol SiC生成時(shí)，轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量為

4mol

4mol

。
②現(xiàn)將20.0g SiC粗產(chǎn)品加入到過(guò)量的NaOH溶液中充分反應(yīng)，收集到0.1 mol氫氣，
過(guò)濾得SiC固體11.4g,濾液稀釋到1L，則硅酸鹽的物質(zhì)的量濃度為

0.17mol?L^-1

0.17mol?L^-1

。
（3）下列關(guān)于金剛石、SiC和單質(zhì)Si的說(shuō)法不正確的是

C

C

。（填標(biāo)號(hào)）
A．金剛石、SiC和單質(zhì)Si都屬于無(wú)機(jī)非金屬材料
B．金剛石和石墨、晶體硅和無(wú)定形硅分別互為同素異形體
C．金剛石和單質(zhì)硅都是良好的半導(dǎo)體材料
D．金剛石、SiC和Si晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似