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試題詳情
高氯酸三碳酰肼合鎳{[Ni(CHZ)3](ClO4)2}是一種新型的起爆藥。
(1)寫出基態(tài)Ni 原子的外圍電子排布圖![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202003/106/3cb5b090.png)
。
(2)Ni 能與CO 形成配合物Ni(CO)4,配體CO 中提供孤電子對的是C 原子而不是O原子,其理由可能是電負性O(shè)>C,O原子不易提供孤電子對電負性O(shè)>C,O原子不易提供孤電子對;1 mol 該配合物分子中σ 鍵數(shù)目為8NA8NA(設(shè)NA 為阿伏加德羅常數(shù)的值,下同)。
(3)①ClO-4 的VSEPR 模型是正四面體正四面體。
②寫出與ClO-4互為等電子體的一種分子:CCl4CCl4(填化學式)。
(4)高氯酸三碳酰肼合鎳化學式中的CHZ 為碳酰肼,其結(jié)構(gòu)為
,它是一種新型的環(huán)保鍋爐水除氧劑。碳酰肼中氮原子和碳原子的雜化軌道類型分別為sp3sp3、sp2sp2。
(5)高氯酸三碳酰肼合鎳可由NiO、高氯酸及碳酰肼化合而成。
①高氯酸的酸性強于次氯酸的原因是非羥基氧的個數(shù)越多,Cl的正電性越高,導致Cl—O—H中O的電子越向Cl偏移,越容易電離出H+非羥基氧的個數(shù)越多,Cl的正電性越高,導致Cl—O—H中O的電子越向Cl偏移,越容易電離出H+。
②如圖為NiO 晶胞,則晶體中Ni2+的配位數(shù)為66;若晶胞中Ni2+距離最近的O2-之間的距離為a pm,則NiO 晶體的密度=75×10302a3NA75×10302a3NAg?cm-3(用含a、NA 的代數(shù)式表示)。
![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202003/106/3cb5b090.png)
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【答案】
;電負性O(shè)>C,O原子不易提供孤電子對;8NA;正四面體;CCl4;sp3;sp2;非羥基氧的個數(shù)越多,Cl的正電性越高,導致Cl—O—H中O的電子越向Cl偏移,越容易電離出H+;6;
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【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:27引用:2難度:0.5
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1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4