新型半導(dǎo)體材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等在國(guó)防技術(shù)、航空航天及5G技術(shù)等領(lǐng)域扮演著重要的角色?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)Si原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)為 MM，占據(jù)最高能級(jí)的電子的電子云輪廓圖形狀為 啞鈴形啞鈴形；基態(tài)Ga原子的核外電子排布為[Ar]3d104s2p1，其轉(zhuǎn)化為下列激發(fā)態(tài)時(shí)，吸收能量最少的是 BB（填選項(xiàng)字母）。
A.[Ar]
B.[Ar]
C.[Ar]
D.[Ar]
（2）C與Si是同主族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Si原子之間難以形成雙鍵、叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)分析，其原因?yàn)?Si原子半徑大，原子之間形成的σ鍵鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊，難以形成π鍵Si原子半徑大，原子之間形成的σ鍵鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊，難以形成π鍵。
（3）硼（B）與Ga是同主族元素，硼氫化鈉（NaBH4）是有機(jī)合成中重要的還原劑，其陰離子BH-4的立體構(gòu)型為 正四面體結(jié)構(gòu)正四面體結(jié)構(gòu)；另一種含硼陰離子的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中B原子的雜化方式為 sp2、sp3sp2、sp3。
（4）GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，試分析GaCl3熔點(diǎn)低于GaF3的原因?yàn)?GaCl3為分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力GaCl3為分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力；氣態(tài)GaCl3常以二聚體形式存在，二聚體中各原子均滿足8e-結(jié)構(gòu)，據(jù)此寫(xiě)出二聚體的結(jié)構(gòu)式為 
。
（5）B和Mg形成的化合物刷新了金屬化合物超導(dǎo)溫度的最高記錄。該化合物的晶體結(jié)構(gòu)單元如圖所示，其中Mg原子間形成正六棱柱，6個(gè)B原子分別位于六個(gè)三棱柱體心。則該化合物的化學(xué)式可表示為 MgB2MgB2；相鄰B原子與Mg原子間的最短距離為 x23+y24x23+y24nm（用含x、y的代數(shù)式表示）。
BH
-
4
x
2
3
+
y
2
4
x
2
3
+
y
2
4
【答案】M；啞鈴形；B；Si原子半徑大，原子之間形成的σ鍵鍵長(zhǎng)較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度小或幾乎不重疊，難以形成π鍵；正四面體結(jié)構(gòu)；sp2、sp3；GaCl3為分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，為離子晶體，熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力；；MgB2；
；MgB2；x
2
3
+
y
2
4
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/7/17 8:0:9組卷：36引用：2難度：0.4
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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