離子液體是指室溫或接近室溫時(shí)呈液態(tài)，而本身由陰、陽離子構(gòu)成的化合物。GaCl3和氯化1-乙基3-甲基咪唑（
，簡稱EMIC）混合形成的離子液體被認(rèn)為是21世紀(jì)理想的綠色溶劑。請(qǐng)回答下列問題：
（1）請(qǐng)寫出基態(tài)Ga原子的核外電子排布式 [Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p1。同周期主族元素中基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)與Ga相同的有 K、BrK、Br。（填元素符號(hào)）。
（2）EMIC陽離子中的幾種元素電負(fù)性由大到小順序?yàn)?N＞C＞HN＞C＞H。
（3）已知分子中的大π鍵可用符號(hào)πmn表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表大π鍵中的電子數(shù)，則EMIC中大π鍵可表示為 Π56Π56。
（4）GaCl3熔點(diǎn)為77.8℃，GaF3熔點(diǎn)高于1000℃，其原因是 GaCl3屬于分子晶體，而GaF3屬于離子晶體，融化時(shí)前者克服分子間作用力，后者克服離子鍵，而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng)，離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的GaCl3屬于分子晶體，而GaF3屬于離子晶體，融化時(shí)前者克服分子間作用力，后者克服離子鍵，而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng)，離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的。
（5）GaCl3和EMIC混合形成離子液體的過程中會(huì)存在以下轉(zhuǎn)變：GaCl3Cl-GaCl4GaCl3Ga2Cl7 請(qǐng)寫出Ga2Cl-7的結(jié)構(gòu)式 
。
（6）某種Ga的氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。O2-以六方密堆積形成晶胞，Ga3+位于由A、C、D四個(gè)O2-圍成的四邊形的中心，但晶胞中只有的四邊形中心位置占據(jù)了Ga3+，另外13的位置空置。
①Ga3+位于O2-圍成的 正八正八面體空隙中。
②該晶胞中O2-的配位數(shù)為 44。
③若該晶胞的體積為Vcm3，該氧化物晶體密度為 376V?NAg?cm-3376V?NAg?cm-3。
C
l
-
G
a
C
l
3
C
l
-
7
1
3
376
V
?
N
A
376
V
?
N
A
【答案】[Ar]3d104s24p1；K、Br；N＞C＞H；Π56；GaCl3屬于分子晶體，而GaF3屬于離子晶體，融化時(shí)前者克服分子間作用力，后者克服離子鍵，而離子鍵比分子間作用力更強(qiáng)，離子晶體熔點(diǎn)高于分子晶體的；；正八；4；g?cm-3
；正八；4；376
V
?
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：33引用：3難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請(qǐng)寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請(qǐng)寫一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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