氮及其化合物在生產(chǎn)、生活和科技方面有著廣泛的應(yīng)用。
（1）NF₃是一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，在芯片制造、高能激光器方面有廣泛應(yīng)用，NF₃分子的空間構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

。
（2）新制的Cu（OH）₂溶于濃氨水生成配離子[Cu（NH₃）₄]²⁺，[Cu（NH₃）₄]²⁺中的配位原子是

N

N

（填元素符號），已知NH₃中H-N-H的鍵角為107.3°，則[Cu（NH₃）₄]²⁺中H-N-H的鍵角

大于

大于

107.3°（填“大于”、“小于”或“等于”）。
（3）氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。氮化鋅晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞（如圖1）內(nèi)部的碳原子被N原子代替，頂點和面心的碳原子被Ga原子代替。

①準晶體的發(fā)現(xiàn)顛覆了人們對晶體的已有認識，可通過

X-射線衍射

X-射線衍射

方法區(qū)分晶體、準晶體和非晶體。
②（CH₃）₃Ga、（CH₃CH₂）₃Ga是制取氮化鎵的常見鎵源，常溫常壓下均為無色透明的液體。下列說法正確的是

AB

AB

（填序號）。
A.（CH₃）₃Ga晶體屬于分子晶體
B.（CH₃）₃Ga中所含化學鍵都是極性共價鍵
C.（CH₃CH₂）₃Ga晶體中含有氫鍵
D.除H外，（CH₃CH₂）₃Ga中所有原子最外層都達到8e^-穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
③氮化鎵晶胞中N的配位數(shù)

4

4

。是以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數(shù)坐標。若沿y軸投影的晶胞中所有原子的分布如圖2所示，則2、3、4原子的分數(shù)坐標不可能是

b

b

（填序號）。
a.（0.75，0.25，0.25）b.（0.25，0.75，0.75）
c.（0.25，0.75，0.25）d.（0.75，0.75，0.75）
④已知Ga和N的摩爾質(zhì)量分別為M_Gag?mol^-1和M_Ng?mol^-1，原子半徑分別為r_Gapm和r_Npm,阿伏加德羅常數(shù)值為N_A，晶體密度為ρg?cm^-3，則GaN晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

4

π

×

1

0

-

30

N

A

ρ

（

r

G

a

3

+

r

N

3

）

3

（

M

G

a

+

M

N

）

×100%

4

π

×

1

0

-

30

N

A

ρ

（

r

G

a

3

+

r

N

3

）

3

（

M

G

a

+

M

N

）

×100%

（列計算式）。