GaN是制造5G芯片的材料，氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p33d104s24p3，下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層的一個電子所需能量最小的是DD（填標(biāo)號）。
A．
B．
C．[Ne]D．
（2）8一羥基喹啉鋁（分子式C27H18AlN3O3）用于發(fā)光材料及電子傳輸材料，可由LiAlH4與（8一羥基喹啉）合成。LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型為正四面體正四面體；所含元素中電負(fù)性最大的是OO（填元素符號），C、N、O的雜化方式依次為sp2sp2、sp2sp2和sp3sp3。
（3）已知下列化合物的熔點：
| 化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
| 熔點/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3
AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3
。②熔融AlCl3時可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al2Cl6，二聚體Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為
4
4
。（4）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞參數(shù)為a pm。
①緊鄰的As原子之間的距離為x,緊鄰的As、Ga原子之間的距離為y,則
x
y
2
6
3
2
6
3
②設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則GaAs的密度是
145
×
4
（
a
×
1
0
-
10
）
3
N
A
145
×
4
（
a
×
1
0
-
10
）
3
N
A
【答案】3d104s24p3；D；正四面體；O；sp2；sp2；sp3；AlF3、GaF3為離子晶體，AlCl3為分子晶體，晶格能：AlF3＞GaF3；；4；；
；4；2
6
3
145
×
4
（
a
×
1
0
-
10
）
3
N
A
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：24引用：2難度：0.4
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4