（1）我國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一類由Fe-Se-As-F-O組成的磁性超導(dǎo)材料。下列有關(guān)敘述正確的是 BDBD（填字母序號）。
A．Fe變成Fe2+時首先失去30軌道定子
B．AsO-3的空間構(gòu)型為平面正三角形
C．第一電離能：Se＞As
D．基態(tài)F原子有9種運(yùn)動狀態(tài)的電子
（2）在堿性溶液中，Cu2+可以與縮二脲形成紫色配離子，其結(jié)構(gòu)如圖所示。
下列說法正確的是 ACAC（填字母序號）
A．該配離子與水分子形成氫鍵的原子有N、O、H
B．該配離子中銅離子的配位數(shù)是2
C．該配離子中C原子的雜化方式均是sp2
D．該配離子中非金屬元素的電負(fù)性大小順序為N＞O＞C＞H
（3）新材料的研制與應(yīng)用始終是科技發(fā)展的主要方向之一。
①某太陽能吸熱涂層以鎳或鎳合金空心球為吸收劑，基態(tài)鎳原子的價層電子排布式是 3d84s23d84s2。
②硼及其化合物廣泛應(yīng)用于永磁材料、超導(dǎo)材料等領(lǐng)域，可以與氧氣反應(yīng)生成BF3氣體，BF3分子的立體構(gòu)型為 平面正三角形平面正三角形。
③肼可用作火箭燃料，燃燒時發(fā)生的反應(yīng)是：N2O4（l）+2N2H4（l）=3N2（g）+4H2O（g） ΔH=-1038.7kJ?mol-1。若該反應(yīng)中有4mol N-H鍵斷裂，則形成的π鍵有 33mol。N2H4與C2H6結(jié)構(gòu)相似且相對分子質(zhì)量接近，C2H6常溫下為氣體，而N2H4常溫下為液體的原因是 N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵。
④鈦被譽(yù)為“21世紀(jì)的金屬”。Ti的四鹵化物熔點(diǎn)如下表所示：TiF4熔點(diǎn)高于其他三種鹵化物，自TiCl4至TiI4熔點(diǎn)依次升高，原因是 TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高。
A
s
O
-
3
| TiF4 | TiCl4 | TiBr4 | TiI4 | |
| 熔點(diǎn)/℃ | 377 | -24.1 | 38.3 | 155 |
⑤立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金石相似（如上圖），硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長為apm。立方氮化硼晶胞中含有
4
4
個硼原子，已知氮的原子半徑r（N）=bpm,則硼的原子半徑r（B）=3
4
3
4
【答案】BD；AC；3d84s2；平面正三角形；3；N2H4能形成分子間氫鍵，C2H6不能形成分子間氫鍵；TiF4為離子晶體，熔點(diǎn)高，其他三種鹵化物為分子晶體，隨著相對分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔點(diǎn)逐漸升高；4；a-b
3
4
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：13引用：1難度：0.7
相似題
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1．在北京冬奧會中從清潔能源到環(huán)保材料，化學(xué)高科技所起的作用功不可沒。
（1）本屆冬奧會的頒獎禮服外觀典雅大方，內(nèi)膽還添加了一種黑色材料——第二代石墨烯發(fā)熱材料。制備石墨烯方法有石墨剝離法、化學(xué)氣相沉積法等。金剛石（a）和石墨（b）的結(jié)構(gòu)如圖所示；
①下列說法正確的是。
A．金剛石和石墨互為同素異形體，金剛石轉(zhuǎn)變?yōu)槭俏锢碜兓?br />B．石墨烯分子中所有原子可以處于同一平面
C．12g金剛石含σ鍵數(shù)為4NA
D．從石墨剝離得石墨烯需克服石墨層與層之間的分子間作用
②請從結(jié)構(gòu)的角度解釋石墨的熔點(diǎn)高于金剛石。
（2）國家速滑館“冰絲帶”1.2萬平方米的整塊冰面，是首次采用二氧化碳跨臨界直冷制冰技術(shù)打造的最大的多功能全冰面。二氧化碳跨臨界直冷制冰，就是將氣態(tài)二氧化碳通過加溫加壓形成超臨界二氧化碳流體，再對超臨界二氧化碳進(jìn)行降溫降壓達(dá)到-20℃至-15℃，再相變蒸發(fā)吸熱完成制冷和制冰的過程。
①寫出二氧化碳跨臨界直冷制冰技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。
②如圖是CO2的一種過渡金屬配合物的結(jié)構(gòu)，R為氫或苯基，該配合物可以催化乙烯的聚合反應(yīng)。
該配合物中鈦原子的基態(tài)核外價層電子排布式為；B原子的雜化類型。分子中的離域π鍵可用符號πmn表示，其中m代表參與形成離域π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成離域π鍵的電子數(shù)（如苯分子中的離域π鍵可表示為π66），該配合物中有一種配體是環(huán)戊二烯基
，環(huán)戊二烯負(fù)離子的離域π鍵應(yīng)表示為 。
（3）在一定條件下，CO2分子可形成俗稱干冰的晶體。在干冰的立方晶胞中，碳原子位于頂點(diǎn)和面心位置，分子軸平行于立方體的體對角線，如圖所示。
①該晶體中CO2分子的配位數(shù)；
②以下晶體中，與干冰具有相同晶體結(jié)構(gòu)的是；
A．Na
B．碘
C．Cu
D．Mg
E．冰
③已知干冰的密度為ρg?cm-3，計算兩個分子中心之間的最短距離L=pm（用含ρ、NA的代數(shù)式表示）。發(fā)布：2024/12/30 18:0:1組卷：30引用：2難度：0.5 -
2．金屬及其化合物在生產(chǎn)生活等各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
（1）鈦具有良好的金屬性能。鈦基態(tài)原子中電子占據(jù)能級個數(shù)為。與鈦同周期的元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的還有種。鈦比鋼輕、比鋁硬，是一種新興的結(jié)構(gòu)材料，鈦硬度比鋁大的可能原因是。
（2）有一種氮化鈦晶體的晶胞與NaCl晶胞相似，該晶胞中N、Ti之間的最近距離為a×10-10cm,則該氮化鈦的密度為g?cm-3（NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，只列計算式）。
（3）Li是最輕的固體金屬，采用Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用。Li2O是離子晶體，其晶格能可通過圖（a）的Bom-Haber循環(huán)計算得到。
Li原子的第一電離能為kJ?mol-1，O═O鍵鍵能為kJ?mol-1，Li2O晶格能為kJ?mol-1。
（4）Zn可形成多種化合物，其中立方ZnS晶胞結(jié)構(gòu)如圖（b），其陰離子（S2-）按面心立方密堆積排布，立方ZnS的配位數(shù)與NaCl不同，這是由因素決定的。發(fā)布：2024/12/30 18:30:1組卷：7引用：2難度：0.7 -
3．氟代硼酸鉀（KBe2BO3F2）是激光器的核心材料，我國化學(xué)家在此領(lǐng)域的研究走在了世界的最前列。回答下列問題：
（1）氟代硼酸鉀中非金屬元素原子的電負(fù)性大小順序是。
（2）NaBH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，其中的陰離子空間構(gòu)型是，中心原子的雜化方式為。NaBH4中存在（填標(biāo)號）。
a.離子鍵
b.氫鍵
c.σ鍵
d.π鍵
（3）BeCl2中的化學(xué)鍵具有明顯的共價性，蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在的BeCl2的結(jié)構(gòu)式為。
（4）第三周期元素氟化物的熔點(diǎn)如表：
解釋表中氟化物熔點(diǎn)變化的原因：化合物 NaF MgF2 AlF3 SiF4 PF5 SF6 熔點(diǎn)/℃ 993 1261 1291 -90 -83 -50.5 。
（5）CaF2的一種晶胞如圖所示。Ca2+占據(jù)F-形成的空隙，若r（F-）=xpm,r（Ca2+）=ypm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則CaF2的密度ρ=g?cm-3（列出計算表達(dá)式）。發(fā)布：2024/12/30 18:30:1組卷：7引用：2難度：0.5
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